| 发明名称 | 利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法 | ||
| 摘要 | 一种利用化学干蚀刻形成圆化边角的方法，在浅渠沟蚀刻完成后，利用氮化硅/硅选择比较高的化学干蚀刻法，且为均向性蚀刻的蚀刻步骤，将氮化砂层后推露出表面的硅边角；接着再利用硅/氮化硅的选择比较高均向性蚀刻步骤，将硅边角圆弧化，得到具有圆弧边角的浅渠沟。具有避免浅渠沟边角形成凹陷圆曲及电性异常的现象，利于后续制程的进行。 | ||
| 申请公布号 | CN1399310A | 申请公布日期 | 2003.02.26 |
| 申请号 | CN01120689.6 | 申请日期 | 2001.07.27 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 梁明中;余旭升;李俊鸿;蔡信谊 |
| 分类号 | H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：它包括下列步骤：(1)在一底材上沉积一氮化硅层；(2)在该氮化硅层表面形成一图案化光阻；(3)以该图案化光阻为罩幕，进行蚀刻，形成浅渠沟结构；(4)利用氮化硅对底材的选择比高的化学干蚀刻法，将该氮化硅层向后推，以露出该浅渠沟表面的边角；(5)利用底材对氮化硅的选择比高的化学干蚀刻法，将该边角圆弧化，以得到圆弧边角。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县 | ||