| 发明名称 | 具有短读出时间的存储设备 | ||
| 摘要 | 存储设备包括存储单元的一个存储器阵列，和交叉的字线和位线。在阵列的一端，一组读/写选择开关有选择地耦合位线到列写入电流源和参考电势电压。一组读出放大器选择开关有选择地耦合位线到一个读出放大器，它也处于参考电势电压。可以闭合读出放大器选择开关组中的每个开关以允许读出放大器读出选中的存储单元的二元状态。可以分别闭合读/写选择开关组中的开关以耦合选中的位线到参考电势电压。在读操作期间，对读出放大器选择开关组和读写选择开关组进行操作，使得位线的末端被耦合到参考电势电压，使得存储器阵列保持在等电位状态。因为存储器阵列保持在等电位状态，就不需要由于转换到放大器而产生的稳定时间。因而读操作比在常规设备中要快一些。 | ||
| 申请公布号 | CN1399276A | 申请公布日期 | 2003.02.26 |
| 申请号 | CN02126952.1 | 申请日期 | 2002.07.24 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | L·T·特兰 |
| 分类号 | G11C11/15;G11C7/00 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;王勇 |
| 主权项 | 1.一种读取存储器阵列(100)的方法，该存储器阵列(100)包括多个字线(110)和多个位线(120)，字线和位线交叉在多个存储单元(130)处，该方法包括：给耦合到选中的存储单元(130)的选中的字线(110)施加读电压(Vr)；通过第一开关(301-308)把耦合到选中的存储单元的选中的位线(120)耦合到参考电势电压；通过第二开关(400-408)把选中的存储单元耦合到读出装置(700)；打开第一开关(301-308)以从参考电势电压断开选中的存储单元；并使用读出装置读取选中的存储单元的二元状态。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||