| 主权项 |
1.一种形成ONO介电体之方法,包括:将氮化矽层形成于第一二氧化矽层上;使该氮化矽层氧化,而于该氮化矽层上产生暂时的二氧化矽层;将该暂时的二氧化矽层移除;使氮化矽层再氧化,而于该氮化矽层上形成第二二氧化矽层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该暂时的二氧化矽系利用氢氟酸稀释移除。3.如申请专利范围第2项之方法,其中,该氢氟酸稀释系在室温下。4.如申请专利范围第2项之方法,其中,该酸稀释包括缓冲剂。5.如申请专利范围第4项之方法,其中,该缓冲剂系为氟化铵。6.如申请专利范围第1项之方法,其中,该氧化作用系利用高温蒸气氧化方法进行。7.如申请专利范围第6项之方法,其中,该氧化系在大于800℃之温度下进行。8.如申请专利范围第1项之方法,其中,该氧化作用使该氮化矽层变薄。9.如申请专利范围第1项之方法,其中,该生成之氮化矽层具有降低的瑕疵密度。10.如申请专利范围第1项之方法,其中,该ONO介电体系设于极间介电结构内。11.如申请专利范围第10项之方法,其中,该第一二氧化矽层系形成于多晶矽基材上。12.如申请专利范围第11项之方法,其中,将一层多晶矽沈积于该第二二氧化矽层上。13.如申请专利范围第11项之方法,其中,该第一二氧化矽层之形成系藉由该多晶矽基材之氧化作用而进行。14.如申请专利范围第1项之方法,其中,氮化矽层之形成系经由将氮化物薄膜沈积于第一二氧化矽层上而进行。15.如申请专利范围第14项之方法,其中,该沈积系利用化学蒸气沈积进行。16.如申请专利范围第1项之方法,其中,该再氧化作用系利用高温蒸气氧化方法进行。17.如申请专利范围第1项之方法,其中,该氧化作用系利用乾式氧化方法进行。18.如申请专利范围第1项之方法,其中,该再氧化作用系利用乾式氧化方法进行。19.一种高电容极间介电结构之制造方法,包括:将第一二氧化矽层形成于多晶矽基材上;在二氧化矽上形成一层氮化矽;使该氮化矽层氧化,而于该氮化矽层上形成暂时的二氧化矽层;将该暂时的二氧化矽层移除;使该氮化矽层再氧化,而形成第二二氧化矽层;及将多晶矽层沈积于该第二二氧化矽层上。20.如申请专利范围第19项之方法,其中,该氧化作用系利用高温蒸气氧化方法进行。21.如申请专利范围第19项之方法,其中,该再氧化作用系利用高温蒸气氧化方法进行。图式简单说明:图1(A)-(E)概略显示在利用本发明方法之薄ONO介电复合物之形成过程中之二氧化矽基材。图2系具有利用图1(A)-(E)所示之本发明方法形成之ONO介电体之极间介电体的图式。 |
