| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包含下列步骤:于包含半导体基板之半导体结构上,形成一具有作为主结构的矽氧烷键之低介电常数绝缘膜之步骤;将界面活性剂浸透于前述低介电常数绝缘膜中之步骤;及在浸透有前述界面活性剂之前述低介电常数绝缘膜可暴露于水之状态下,施行特定步骤之步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中上述特定步骤为半导体之制造步骤,制造途中之半导体装置之移送步骤,及制造途中之半导体之保管步骤的至少一者。3.一种半导体装置之制造方法,该方法包含下列步骤:于包含半导体基板之半导体结构上,形成一具有作为主结构的矽氧烷键之低介电常数绝缘膜之步骤;于前述低介电常数绝缘膜上形成一被研磨膜之步骤;及以前述低介电常数绝缘膜表面之一部分露出的方式,利用CMP法研磨前述被研磨膜,由前述低介电常数绝缘膜之露出表面,将界面活性剂浸透于前述低介电常数绝缘膜中之步骤。4.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中以CMP法研磨前述被研磨膜时所使用之浆液中,预先包含前述之界面活性剂。5.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中浸透有前述界面活性剂之前述低介电常数绝缘膜,系于可于暴露于水之状态下进行特定之步骤。6.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中系藉涂布法及CVD法中之一种成膜方法形成前述低介电常数绝缘膜。7.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中系藉涂布法及CVD法中之一种成膜方法形成前述低介电常数绝缘膜。8.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中系藉涂布法及CVD法中之一种成膜方法形成前述低介电常数绝缘膜。9.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中前述低介电常数绝缘膜为以具有多孔质结构的SiO2为主成分之绝缘膜。10.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中前述低介电常数绝缘膜为以具有多孔质结构的SiO2为主成分之绝缘膜。11.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中前述低介电常数绝缘膜为以具有多孔质结构的SiO2为主成分之绝缘膜。12.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中前述低介电常数绝缘膜之相对介电常数低于3.3以下。13.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中前述低介电常数绝缘膜之相对介电常数低于3.3以下。14.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中前述低介电常数绝缘膜之相对介电常数低于3.3以下。15.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中于前述特定之步骤后,除去浸透于前述低介电常数绝缘膜中之前述界面活性剂。16.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中系除去浸透于前述低介电常数绝缘膜中之前述界面活性剂。17.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中系除去浸透于前述低介电常数绝缘膜中之前述界面活性剂。18.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中前述界面活性剂为选自于聚氧乙烯烷基胺(poly oxyethylene alkylamine)、7-羟基-5-甲基-1,3,4-三(7-hydroxy-5-methyl-1,3,4-triazaindolizine)、十二烷苯磺酸钾(dodecyl benzene sulfonic acid kalium)、马来酸(maleic acid)、哪啶酸(quinaldic acid)、乙二胺(ethylene diamine)、十六烷基三甲基铵氯化物(cetyltrimethyl ammonium chloride)、或4-胺基-1,2,4-三唑(4-amino-1,2,4-triazole)中之一。19.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中前述界面活性剂为选自于聚氧乙烯烷基胺(poly oxyethylene alkylamine)、7-羟基-5-甲基-1,3,4-三(7-hydroxy-5-methyl-1,3,4-triazaindolizine)、十二烷苯磺酸钾(dodecyl benzenesulfonic acid kalium)、马来酸(maleic acid)、哪啶酸(quinaldic acid)、乙二胺(ethylene diamine)、十六烷基三甲基铵氯化物(cetyl trimethyl ammonium chloride)、或4-胺基-1,2,4-三唑(4-amino-1,2,4-triazole)中之一。20.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中前述界面活性剂为选自于聚氧乙烯烷基胺(polyoxyethylene alkylamine)、7-羟基-5-甲基-1,3,4-三(7-hydroxy-5-methyl-1,3,4-triazaindolizine)、十二烷苯磺酸钾(dodecyl benzene sulfonic acid kalium)、马来酸(maleicacid)、哪啶酸(quinaldic acid)、乙二胺(ethylenediamine)、十六烷基三甲基铵氯化物(cetyl trimethylammonium chloride)、或4-胺基-1,2,4-三唑(4-amino-1,2,4-triazole)中之一。图式简单说明:图1A-1G系关于本发明之第1实施例中多层配线结构之制程之剖面图。图2A-2E系先前技术之多层配线结构之制程之剖面图。图3A-3B系低介电常数绝缘膜之龟裂因水分而加速进展历程之说明图。图4A-4E系关于本发明之第2实施例中多层配线结构之制程之剖面图。 |
