凸块制程

摘要

一种凸块制程，适于在晶圆上制作凸块。此凸块制程系在晶圆上形成一图案化之焊罩层，且焊罩层之多个开口系分别暴露出晶圆上的焊垫，其中这些开口之两端的横截面积系小于其中间的横截面积。接着，填入焊料于这些开口之中，并经回焊处理后，使得位于该开口之中的焊料，分别形成球状之凸块，最后移除上述之焊罩层。此外，此凸块制程亦可先形成预焊块于晶圆之焊垫上，再形成图案化之焊罩层于晶圆上，并填入焊料于焊罩层之暴露焊垫的开口内，并经回焊处理之后，使预焊块与焊料相熔合而形成凸块，其中预焊块与焊料之组成成分可不相同。

主权项

1.一种凸块制程,适用于制作至少一凸块于一晶圆上,其中该晶圆具有一主动表面、一保护层及至少一焊垫,而该焊垫系位于该主动表面上,且该保护层系暴露出该焊垫,该凸块制程至少包括下列步骤:形成图案化之一焊罩层于该晶圆之该主动表面上,其中该焊罩层具有至少一开口,而该开口系暴露出该焊垫,且该开口之底端的横截面积系小于该开口之中间的横截面积;填充一焊料于该开口之内;进行一回焊步骤,使得该焊料熔合之后,而形成该凸块;以及移除该焊罩层。2.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该开口之顶端的横截面积系小于该开口之中间的横截面积。3.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该凸块包括有铅焊料凸块及无铅焊料凸块二者择一。4.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中形成该焊罩层之方法包括先形成图案化之一第一光阻层,而该第一光阻层具有至少一第一开口,其暴露出该焊垫,而该第一开口之底端的横截面积系小于该第一开口之顶端的横截面积。5.如申请专利范围第4项所述之凸块制程,其中该第一光阻层之材质包括液态光阻及乾膜。6.如申请专利范围第4项所述之凸块制程,在形成该第一光阻层之后,更包括贴附图案化之一第二光阻层于该第二光阻层上,其中该第二光阻层具有至少一第二开口,其与该第一开口相连,且暴露出该焊垫,而该第二开口之底端的横截面积系大于该第二开口之顶端的横截面积。7.如申请专利范围第6项所述之凸块制程,其中该第二光阻层之材质包括乾膜。8.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该焊料包括焊料粉末及焊料胶二者择一。9.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中在形成该焊罩层之前,更包括先形成一球底金属层于该焊垫上,使得该凸块系形成于该球底金属层上。10.一种凸块制程,适用于制作至少一凸块于一晶圆上,其中该晶圆具有一主动表面、一保护层及至少一焊垫,而该焊垫系位于该主动表面上,且该保护层系暴露出该焊垫,该凸块制程至少包括下列步骤:形成一预焊块于该晶圆之该焊垫上;形成图案化之一焊罩层于该晶圆之该主动表面上,其中该焊罩层具有至少一开口,且该开口系暴露出该预焊块,而该开口之底端的横截面积系小于该开口之中间的横截面积;填充一焊料于该开口之内;进行一回焊步骤,使得该预焊块与该焊料相熔合之后,而形成该凸块;以及移除该焊罩层。11.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该开口之顶端的横截面积系小于该开口之中间的横截面积。12.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该焊料之组成成分系异于该预焊块之组成成分。13.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该凸块包括有铅焊料凸块及无铅焊料凸块二者择一。14.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中形成该焊罩层之方法包括先形成图案化之一第一光阻层,而该第一光阻层具有至少一第一开口,其暴露出该焊垫,而该第一开口之底端的横截面积系小于该第一开口之顶端的横截面积。15.如申请专利范围第14项所述之凸块制程,其中该第一光阻层之材质包括液态光阻及乾膜。16.如申请专利范围第14项所述之凸块制程,在形成该第一光阻层之后,更包括贴附图案化之一第二光阻层于该第二光阻层上,其中该第二光阻层具有至少一第二开口,其与该第一开口相连,且暴露出该焊垫,而该第二开口之底端的横截面积系大于该第二开口之顶端的横截面积。17.如申请专利范围第16项所述之凸块制程,其中该第二光阻层之材质包括乾膜。18.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该焊料包括焊料粉末及焊料胶二者择一。19.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中在形成该预焊块之前,更包括先形成一球底金属层于该焊垫上,使得该预焊块系形成于该球底金属层上。20.一种凸块制程,适用于制作至少一第二凸块于一晶圆上,其中该晶圆具有一主动表面及至少一第一凸块,而该第一凸块系位于该主动表面上,该凸块制程至少包括下列步骤:形成图案化之一焊罩层于该晶圆之该主动表面上,其中该焊罩层具有至少一开口,且该开口系暴露出该第一凸块,而该开口之底端的横截面积系小于该开口之中间的横截面积;填充一焊料于该开口之内;进行一回焊步骤,使该第一凸块与该焊料相熔合后,而形成该第二凸块;以及移除该焊罩层。21.如申请专利范围第20项所述之凸块制程,其中该开口之顶端的横截面积系小于该开口之中间的横截面积。22.如申请专利范围第20项所述之凸块制程,其中该焊料之组成成分系异于该第一凸块之组成成分。23.如申请专利范围第20项所述之凸块制程,其中该第二凸块包括有铅焊料凸块及无铅焊料凸块二者择一。24.如申请专利范围第20项所述之凸块制程,其中形成该焊罩层之方法包括先形成图案化之一第一光阻层,而该第一光阻层具有至少一第一开口,其暴露出该第一凸块,而该第一开口之底端的横截面积系小于该第一开口之顶端的横截面积。25.如申请专利范围第24项所述之凸块制程,其中该第一光阻层之材质包括液态光阻及乾膜。26.如申请专利范围第24项所述之凸块制程,在形成该第一光阻层之后,更包括形成图案化之一第二光阻层于该第二光阻层上,其中该第二光阻层具有至少一第二开口,其与该第一开口相连,且暴露出该第一凸块,而该第二开口之底端的横截面积系大于该第二开口之顶端的横截面积。27.如申请专利范围第26项所述之凸块制程,其中该第二光阻层之材质包括乾膜。28.如申请专利范围第20项所述之凸块制程,其中该焊料包括焊料粉末及焊料胶二者择一。图式简单说明:第1A-1F图为习知之一种焊料凸块制程的剖面流程图;第2A-2F图为本发明之第一实施例之凸块制程的剖面流程图;第3A-3F图为本发明之第二实施例之凸块制程的剖面流程图;第4A、4B图分别为以叠合法形成焊罩层之剖面示意图;以及第5A、5B图分别为具有不同形状开口之焊罩层的剖面示意图。