| 主权项 |
1.一种通道热载子效应评量装置,适用于一CMOS反相器,该CMOS反相器具有一输入端与一输出端;该通道热载子效应评量装置包括:一电源供应器,耦接至该CMOS反相器,提供一电源电压;一功能产生器,耦接至该CMOS反相器,提供一三角波信号至该CMOS反相器之该输入端;以及一电流计,与该CMOS反相器串接,系于该CMOS反相器经过热载子效应应力处理前后,以该电流计测量该CMOS反相器之暂态电流。2.如申请专利范围第1项所述之该通道热载子效应评量装置,其中,该CMOS反相器包含串接之一NMOS电晶体与一PMOS电晶体。3.如申请专利范围第2项所述之该通道热载子效应评量装置,其中,该PMOS电晶体以源极接收该电源电压。4.如申请专利范围第2项所述之该通道热载子效应评量装置,其中,该NMOS电晶体以源极耦收该电流计。5.如申请专利范围第2项所述之该通道热载子效应评量装置,其中,该PMOS电晶体与该NMOS电晶体同以闸极接收该三角波信号。6.如申请专利范围第2项所述之该通道热载子效应评量装置,其中,当于该热载子效应应力处理时,该PMOS电晶体之源极为浮接状态。7.如申请专利范围第1项所述之该通道热载子效应评量装置,其中,当于该热载子效应应力处理时,该CMOS反相器以该输入端耦接一第一应力电压、以该输出端耦接该一第二应力电压。8.一种通道热载子效应评量方法,包括下列步骤:提供一CMOS反相器,该CMOS反相器具有一输入端与一输出端;提供一电源电压予该CMOS反相器,提供一三角波信号至该CMOS反相器之该输入端;量测该CMOS反相器之第一暂态电流;对该CMOS反相器施行热载子效应应力处理;提供该电源电压予该CMOS反相器,提供该三角波信号至该CMOS反相器之该输入端;量测该CMOS反相器之第二暂态电流;以及比较该第一暂态电流与该第二暂态电流之差异。9.如申请专利范围第8项所述之通道热载子效应评量方法,尚包括调整该CMOS反相器之转换电压。10.如申请专利范围第8项所述之通道热载子效应评量方法,其中,该CMOS反相器包含串接之一NMOS电晶体与一PMOS电晶体。11.如申请专利范围第10项所述之通道热载子效应评量方法,其中,该PMOS电晶体以源极接收该电源电压。12.如申请专利范围第10项所述之通道热载子效应评量方法,其中,该PMOS电晶体与该NMOS电晶体同以闸极接收该三角波信号。13.如申请专利范围第10项所述之通道热载子效应评量方法,其中,当于该热载子效应应力处理时,该PMOS电晶体之源极为浮接状态。14.如申请专利范围第8项所述之通道热载子效应评量方法,其中,当于该热载子效应应力处理时,该CMOS反相器以该输入端耦接一第一应力电压、以该输出端耦接该一第二应力电压。图式简单说明:第1图系显示一CMOS反相器的示意图;第2图系显示第1图CMOS反相器之V0/V1转移曲线;第3图系显示根据本发明对一CMOS反相器量测暂态电流(transient current)之示意图;以及第4图系显示根据本发明第3图CMOS反相器施行热载子应力处理(stressing)之示意图。 |
