| 主权项 |
1.一种基板处理装置,其特征为具备处理基板的基板处理室;搬运室;搭载基板的基板搭载体,在上下方向有贯通的贯通孔,该基板处理室所设置的基板搭载体;在贯通孔内上下可移动的基板上推构件;由搬运室可伸长到基板处理室的第1臂,将基板以水平方向搬运的第1臂;由搬运室可伸长到基板处理室的第2臂,可上下方向移动,并由使基板上推构件往上方移动,将基板从基板承载体可往上方分离的第2臂;以及为搬运室所设置的驱动机构,将第1及第2臂从搬运室伸长于基板处理室,同时移动第1臂于水平方向,使第2臂往上下方向移动的驱动机构。2.一种基板处理装置,其特征为具备处理基板的基板处理室;搭载基板的基板搭载体,在上下方向有贯通的贯通孔,于基板处理室设置的基板搭载体;前在贯通孔内可上下移动的基板上推构件;从基板处理室的外部可伸长到基板处理室的第1臂,可将基板以水平方向搬运的第1臂;由基板处理室的外部可伸长到基板处理室第2臂,可以上下方向移动,由于将基板上推构件往上方移动,使基板从基板承载体可往上方分离的第2臂;以及于基板处理室的外部所设置的驱动机构,将第1及第2臂,自基板处理室的外部往基板处理室伸长,同时使第1臂往水平方向移动,第2臂往上下方向移动的驱动机构。3.如申请专利范围第1或2项之基板处理装置,其中该基板上推构件,以贯通孔可往上下方向移动来设置于基板承载体。4.如申请专利范围第1或2项之基板处理装置,其中该基板上推材料,系安装在第2臂。5.如申请专利范围第1或2项之基板处理装置,其中更具备使该基板承载体往水平方向旋转的旋转机构。6.如申请专利范围第1或2项之基板处理装置,其中该基板承载体,可与复数的基板在水平方向并排承载,基板承载体更具备有在水平方向只以规定的角度旋转的旋转机构。7.一种半导体制造装置,该基板为半导体晶圆,其特征为具备申请专利范围第1或2项之基板处理装置。8.一种基板处理方法,使用具备处理基板的基板处理室:搬运室;搭载基板的基板搭载体,在上下方向有贯通的贯通孔,设置于基板处理室的基板搭载体;在贯通孔内可上下移动的基板上推材料;从搬运室可伸长到基板处理室的第1臂,将基板以水平方向搬运的该第1臂;从搬运室可伸长到基板处理室的第2臂,可上下方向移动,并由使基板上推构件往上方移动,将基板可自基板承载体往上方分离的第2臂;于搬运室所设置的驱动机构,将第1及第2臂,从搬运室往基板处理室伸长,同时使该第1臂往水平方向移动,使该第2臂往上下方向移动的驱动机构之基板处理装置来处理该基板,其特征为具备:在该第1臂搭载基板,使该基板位于基板处理室内的基板搭载体上的步骤;其后,由使第2臂往上方移动将基板上推构件移动至上方,自第1臂对基板上推构件移载该基板的步骤;其后,将第1臂从基板的下方取掉步骤;其后,由将第2臂往下方移动,使基板上推构件往下方移动,从基板上推构件对基板搭载体上移载该基板的步骤;以及其后,将该基板在基板处理室内处理的步骤。9.如申请专利范围第8项之基板处理方法,其中于该基板处理后,更具备有:由于将第2臂往上方移动使基板上推构件移动至上方,从基板承载体对基板上推构件上移载基板的步骤;其后,使该第1臂位于基板与基板承载体之间的步骤;以及其后,由于使第2臂往下方移动使基板上推构件移动至下方,从基板上推构件对第1臂上移载基板的步骤。10.一种半导体的制造方法,系利用具备处理半导体晶圆的处理室;搬运室;搭载半导体的半导体晶圆搭载体,在上下方向有贯通的贯通孔,于处理室所设置的半导体晶圆搭载体;可在该贯通孔内上下移动的半导体晶圆上推构件;从搬运室可伸长到处理室的第1臂,将半导体晶圆搬运于水平方向的第1臂;从搬运室可伸长到处理室的第2臂,上下方向可移动,并由将半导体晶圆上推构件往上方移动,将半导体晶圆自半导体晶圆承载体可往上方分离的第2臂;以及于搬运室所设置的驱动机构,将第1及第2臂从搬运室伸长到处理室,同时使第1臂往水平方向移动,使第2臂往上下方向移动的驱动机构的装置,其特征为具备:使该半导体晶圆位于在该第1臂搭载半导体晶圆,将半导体晶圆处理室内的半导体晶圆搭载体上的步骤;其后,由使第2臂往上方移动将半导体晶圆上推构件移动至上方,由第1臂对半导体晶圆上推构件上移载半导体晶圆的步骤;其后,将该第1臂从半导体晶圆的下方取掉步骤;其后,由将第2臂往下移动使半导体晶圆上推构件往下方移动,从半导体晶圆上推构件对半导体晶圆搭载体上移载半导体晶圆的步骤;以及其后,将该半导体晶圆在处理室内处理的步骤。11.如申请专利范围第10项之半导体装置的制造方法,其中在处理该半导体晶圆后,更具备由往上方移动第2臂使半导体晶圆上推构件往上方移动,从半导体晶圆搭载体对半导体晶圆上推构件上移载半导体晶圆的步骤;其后,使该第1臂位于半导体晶圆与半导体晶圆搭载体之间的步骤;其后,由于将第2臂往下方移动使半导体晶圆上推构件向下方移动,从该半导体晶圆上推构件将半导体晶圆移载于第1臂上的步骤。图式简单说明:第1图是,本发明实施例1的半导体制造装置的模式横断面图;第2图是,第1图的模式的纵断面图;第3图是,在本发明实施例1的半导体制造装置所使用的基座模式部份放大的纵断面图;第4图是,本发明实施例2的半导体制造装置的模式横断面图;第5图是,第4图的模式的纵断面图;第6图是,本发明实施例3的半导体制造装置的模式的横断面图;第7图是,第6图的模式的纵断面图;第8图是,本发明实施例4的半导体制造装置模式的横断面图;第9图是,第8图的模式的纵断面图;而第10图是,习知的半导体制造装置的模式纵断面图。 |
