| 主权项 |
1.一种超取样电路,包括复数个传输元件组成,其中每一该传输元件具有一输入端、一输出端与一控制端,当该控制端接收一取样时脉时,则该些传输元件为导通状态,其中该超取样电路为一N层主取样电路,该些N层主取样电路中的一第一层主取样电路系由该些传输元件平行排列所组成,而该些所组成传输元件之输入端并联在一起,而该些所组成传输元件之该输出端分别连接至一第二层主取样电路中相对应的一组次取样电路,依此顺序,第N-1层主取样电路的每一个该传输元件之该输出端分别连接至第N层主取样电路中相对应的一组次取样电路,其中该第N层主取样电路具有M组次取样电路,该些M组次取样电路中的一第一组次取样电路中至少一该传输元件之该输出端连接至一第二组次取样电路中之传输元件之该输出端,依序连接,第M组次取样电路中至少另一个传输元件之该输出端连接至该第一组次取样电路中之传输元件之该输出端。2.如申请专利范围第1项所述之超取样电路,其中N的値为2。3.如申请专利范围第1项所述之超取样电路,其中第N层主取样电路的M组次取样电路中,相邻之次取样电路间在传输元件之该输出端有连接者,在同一该取样时脉为一高准位时,其传输元件为导通状态。4.如申请专利范围第1项所述之超取样电路,其中该些传输元件系为一MOSFET。5.一种超取样电路,系由复数个传输元件组成,该传输元件具有一输入端、一输出端与一控制端,当该控制端接收一取样时脉时,则该些传输元件导通,该超取样电路包括:一N层主取样电路,该些N层主取样电路中的一第一层主取样电路是由该些传输元件平行排列所组成,其该些输入端并联在一起,而每一个该传输元件之该输出端分别连接至一第二层主取样电路中相对应的一组次取样电路,依序连接,一第N-1层主取样电路的每一个传输元件之该输出端分别连接至一第N层主取样电路中相对应的一组次取样电路,其中该第N层主取样电路具有M组次取样电路,该些M组次取样电路中之一第一组次取样电路中至少一个传输元件之该输出端连接至第二组次取样电路中之传输元件之该输出端,依序连接,一第M组次取样电路中至少另一个传输元件之该输出端连接至第一组次取样电路中之传输元件之该输出端。6.如申请专利范围第5项所述之超取样电路,其中N的値为2。7.如申请专利范围第5项所述之超取样电路,其中第N层主取样电路的M组次取样电路中,相邻之次取样电路间在传输元件之该输出端有连接者,在同一该取样时脉为一高准位时,其传输元件为导通状态。8.如申请专利范围第5项所述之超取样电路,其中该些传输元件系为一MOSFET。9.一种超取样方法,系使用于一超取样电路,该超取样电路是由复数个传输元件组成,该些传输元件具有一输入、一输出端与一控制端,该超取样电路为N层主取样电路,每一层主取样电路是由该些传输元件平行排列所组成,其中第N层主取样电路具有M组次取样电路,该超取样方法之步骤包括:将第一层主取样电路之该些传输元件之该输入端并联在一起,而每一个传输元件之该输出端分别连接至第二层主取样电路中相对应的一组次取样电路,依序连接,第N-1层主取样电路的每一个传输元件之该输出端分别连接至第N层主取样电路中相对应的一组次取样电路;在第N层主取样电路中之第一组次取样电路中至少一个传输元件之该输出端连接至第二组次取样电路中之传输元件之该输出端,依序连接,第M组次取样电路中至少另一个传输元件之该输出端连接至第一组次取样电路中之传输元件之该输出端;在每一层主取样电路之该些传输元件之该控制端依序地输入一主取样时脉;以及当主取样电路中之的其中一个传输元件之该控制端输入该主取样时脉时,其所对应之次取样电路之该些传输元件之该控制端依序地输入一次取样时脉。10.如申请专利范围第9项所述之超取样方法,其中N的値为2。11.如申请专利范围第9项所述之超取样方法,其中相邻的主取样电路所输入之该主取样时脉为互补状态。12.如申请专利范围第9项所述之超取样方法,其中在第N层主取样电路的M组次取样电路中,相邻之次取样电路间在传输元件之该输出端有连接者,在其之该控制端输入相同之该次取样时脉。13.如申请专利范围第9项所述之超取样方法,其中使用该些传输元件系为一MOSFET。图式简单说明:第1图绘示无线电收发机之方块图;第2图绘示习知超取样电路图;第3图绘示习知超取样电路的峙脉图;第4图绘示习知另一种超取样电路图;第5图绘示习知另一种超取样电路的时脉图;第6图绘示本发明之起取样电路图;以及第7图绘示本发明之超取样电路的时脉图。 |
