一种改善金属内连线之抗电致迁移能力的方法

摘要

随着半导体元件的积集度持续不断增高，制作金属内连线结构之方法所得之线宽将变得越来越窄，此时因为电致迁移所引发的金属原子移动，亦将导致金属线在转折处发生断路崩溃效应。本发明所提供之方法，空介层连线的设计相当于蓄水池的功能，不仅提高金属连线粗糙度，促使轻微电致迁移的效应在空介层连线产生，而不至于累积在转折处热连接，终究产生断路崩溃。

主权项

1.一种改善金属内连线之抗电致迁移能力的方法,该法至少包括下列步骤:提供已完成前段制程之半导体元件层;使用大金属图案之蚀刻罩幕;形成具空介层连线之金属连线于半导体元件层之间;上述之大金属图案为提高金属内连线之粗糙度用;上述之空介层连线布局设计于一预定距离配置一空介层连线。2.如申请专利范围第1项之改善金属内连线之抗电致迁移能力的方法,该金属连线之形成方法包括CVD。3.如申请专利范围第1项之改善金属内连线之抗电致迁移能力的方法,该金属连线之形成方法包括溅镀法。4.如申请专利范围第1项之改善金属内连线之抗电致迁移能力的方法,该金属连线之材质包括铝金属。5.如申请专利范围第1项之改善金属内连线之抗电致迁移能力的方法,该金属连线之材质包括铜金属。6.如申请专利范围第1项之改善金属内连线之抗电致迁移能力的方法,该预定距离约为10至500微米,空介层连线布局设计之最佳实施例为1000个金属连线宽之距离。图式简单说明:图一、发生断路崩溃的金属连线截面示意图。图二、发生断路崩溃之含介层插塞的金属连线截面示意图。图三、空介层连线布局设计之金属连线顶视图。