发明名称 光阻剥离组成物及剥离光阻之方法
摘要 一种水性剥离组成物含(a)氧化剂,(b)钳合剂,(c)水溶性氟化合物,视情况地及(d)有机溶剂。亦提供为一种利用此水性光阻剥离组成物剥离在蚀刻处理后残留之光阻膜及光阻残渣之方法。在此方法中,使半导体材料、电路形成材料、绝缘膜等之腐蚀最小,而且仅以水充份地清洗而无需如醇之有机溶剂。
申请公布号 TW521336 申请公布日期 2003.02.21
申请号 TW089103662 申请日期 2000.03.02
申请人 三菱瓦斯化学股份有限公司 发明人 安部幸次郎;福田秀树;阿部久起;丸山岳人
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种水性光阻剥离组成物,包含(a) 0.0001至60重量%之氧化剂,(b) 0.01至5重量%之钳合剂,(c)0.001至10重量%之水溶性氟化合物,及其余为水。2.一种水性光阻剥离组成物,包含(a)0.0001至60重量%之氧化剂,(b)0.01至5重量%之钳合剂,(c)0.001至10重量%之水溶性氟化合物,(d)1至70重量%之有机溶剂,及其余为水。3.如申请专利范围第1或2项之水性光阻剥离组成物,其中该氧化剂为至少一种选自于过氧化氢、臭氧及氢氯酸之氧化物。4.如申请专利范围第1或2项之水性光阻剥离组成物,其中该氧化剂为过氧化氢。5.如申请专利范围第1或2项之水性光阻剥离组成物,其中该钳合剂为至少一种选自于胺基聚羧酸、胺基聚羧酸之铵盐、胺基聚羧酸之金属盐、胺基聚羧酸之有机硷盐、磷钳合剂、磷钳合剂之铵盐、磷钳合剂之有机胺盐、磷钳合剂之硷金属盐、磷钳合剂之N-氧化物、缩合磷酸、缩合磷酸之铵盐、缩合磷酸之金属盐、及缩合磷酸之有机胺盐之化合物。6.如申请专利范围第5项之水性光阻剥离组成物,其中该胺基聚羧酸为至少一种选自于伸乙二胺四乙酸、二羟基乙基伸乙二胺四乙酸、1,3-丙二胺四乙酸、二伸乙三胺五乙酸、三伸乙四胺六乙酸、氮基三乙酸及羟基乙基亚胺基二乙酸之化合物。7.如申请专利范围第5项之水性光阻剥离组成物,其中该磷钳合剂为至少一种选自于甲基二磷酸、胺基参亚甲基磷酸、亚乙基二磷酸、1-羟基亚乙基-1,1-二磷酸、1-羟基亚丙基-1,1-二磷酸、乙胺基贰亚甲基磷酸、十二胺基贰亚甲基磷酸、氮基参亚甲基磷酸、伸乙二胺贰亚甲基磷酸、伸乙二胺肆亚甲基磷酸、己烷二胺肆亚甲基磷酸、二伸乙三胺五亚甲基磷酸及1,2-丙烷二胺四亚甲基磷酸之化合物。8.如申请专利范围第5项之水性光阻剥离组成物,其中该缩合磷酸为至少一种选自于偏磷酸、四偏磷酸、六偏磷酸及三聚磷酸之化合物。9.如申请专利范围第1或2项之水性光阻剥离组成物,其中该钳合剂为磷钳合剂。10.如申请专利范围第9项之水性光阻剥离组成物,其中该磷钳合剂具有2至6个磷酸基。11.如申请专利范围第9项之水性光阻剥离组成物,其中该磷钳合剂为至少一种选自于1,2-丙烷二胺四亚甲基磷酸、二伸乙三胺五亚甲基磷酸及伸乙二胺肆亚甲基磷酸之化合物。12.如申请专利范围第1或2项之水性光阻剥离组成物,其中该水溶性氟化合物为至少一种选自于氟化铵、酸铵氟盐、单乙醇胺氟盐及四甲基铵氟盐之化合物。13.如申请专利范围第1或2项之水性光阻剥离组成物,其中该水溶性氟化合物为氟化铵。14.如申请专利范围第2项之水性光阻剥离组成物,其中该有机溶剂为至少一种选自于乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单丁醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、甲醯胺、单甲基甲醯胺、二甲基甲醯胺、单乙基甲醯胺、二乙基甲醯胺、单乙基乙醯胺、二甲基乙醯胺、单乙基乙醯胺、二乙基乙醯胺、N-甲基咯啶酮、N-乙基咯啶酮、二甲基亚、二甲、二乙、贰(2-羟基)与四亚甲之溶剂。15.如申请专利范围第2项之水性光阻剥离组成物,其中该有机溶剂为至少一种选自于二甲基亚、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基咯啶酮、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单甲醚与二丙二醇单丁醚之溶剂。16.一种剥离光阻膜及光阻残渣之方法,其包括步骤:在无机基质上形成光阻膜;将光阻膜图案化以形成图案化光阻膜;乾蚀刻图案化光阻膜底下之膜,同时使用图案化光阻膜作为光罩以去除底下膜之非遮蔽区域;及藉由使如申请专利范围第1至15项中任一项之水性光阻剥离组成物接触光阻残渣及/或图案化光阻膜,去除在乾蚀刻时形成之光阻残渣及/或在乾蚀刻后残留之图案化光阻膜。17.一种剥离光阻膜及光阻残渣之方法,其包括步骤:在无机基质上形成光阻膜;将光阻膜图案化以形成图案化光阻膜;乾蚀刻图案化光阻膜底下之膜,同时使用图案化光阻膜作为光罩以去除底下膜之非遮蔽区域;将图案化光阻膜灰化;及藉由使如申请专利范围第1至15项中任一项之水性光阻剥离组成物接触光阻残渣,去除在乾蚀刻时形成之光阻残渣。图式简单说明:第1图为使用图案化光阻膜作为光罩之乾蚀刻后之氧-电浆灰化后之电路装置之示意剖视图。
地址 日本
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