| 主权项 |
1.一种图像感测器,其特征在于:包含转换部:将入射电磁波转换成电荷;像素电极:储存由前述转换部所产生的电荷;开关元件:控制储存于前述像素电极的电荷读出;层间绝缘膜:配置于前述各像素电极下层,由有机膜所构成;导电膜:和前述像素电极电气连接,从前述像素电极延伸到前述开关元件上层;及介质层:介于前述开关元件和导电膜之间者。2.如申请专利范围第1项之图像感测器,其中在前述开关元件的上层区域,前述层间绝缘膜不存在于前述导电膜和前述介质层之间,前述导电膜和前述介质层接触。3.如申请专利范围第1项之图像感测器,其中前述开关元件为双闸电晶体,前述导电膜起作用作为该双闸电晶体一方的闸极。4.如申请专利范围第3项之图像感测器,其中前述开关元件包含其通道区域为前述介质层所覆盖,前述导电膜从像素电极延伸到包含前述开关元件的通道区域的上层区域,在前述开关元件的上层区域,前述层间绝缘膜不存在于前述导电膜和前述介质层之间,前述导电膜和前述介质层接触所形成。5.如申请专利范围第1项之图像感测器,其中前述转换部系由硒所构成。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之图像感测器,其中在前述像素电极储存正电荷,前述开关元件藉由施加正偏压而导通。7.如申请专利范围第1至5项中任一项之图像感测器,其中在前述像素电极储存负电荷,前述开关元件藉由施加负偏压而导通。8.如申请专利范围第1.3或5项之图像感测器,其中在前述开关元件上层,在前述介质层和导电膜之间再形成前述层间绝缘膜。9.如申请专利范围第8项之图像感测器,其中前述层间绝缘膜比剩余部分薄地形成前述开关元件上层的至少一部分。10.如申请专利范围第8项之图像感测器,其中前述层间绝缘膜被形成如下:与前述开关元件的至少通道区域对应的部分比剩余部分薄。11.如申请专利范围第9项之图像感测器,其中前述层间绝缘膜系由感光性有机膜所构成。12.如申请专利范围第10项之图像感测器,其中前述层间绝缘膜系由感光性有机膜所构成13.一种图像感测器,其特征在于:系在多数各像素将入射电磁波转换成电荷,透过开关元件依次读出在像素电极收集的前述电荷,输出图像信号,包含:导电膜:从前述像素电极延伸到前述开关元件上层;及,层间绝缘膜:配置于前述各像素电极及前述导电膜的下层,比剩余部分薄地形成前述开关元件上层部分,由有机膜所构成者。14.如申请专利范围第13项之图像感测器,其中前述层间绝缘膜被形成如下:与前述开关元件的至少通道区域对应的部分比剩余部分薄。15.如申请专利范围第13或14项之图像感测器,其中前述层间绝缘膜系由感光性有机膜所构成。16.如申请专利范围第13项之图像感测器,其中前述开关元件的通道区域和前述层间绝缘膜接触。17.如申请专利范围第1至5项中任一项之图像感测器,其中前述介质层为无机膜。18.如申请专利范围第1项之图像感测器,其中前述像素电极下层部系为无机膜的前述介质层和为有机膜的前述层间绝缘膜的两层构造,另一方面,在前述开关元件上层区域,前述层间绝缘膜不存在于前述导电膜和前述介质层之间,前述导电膜和前述介质层接触。19.如申请专利范围第1至5.13.16.18项中任一项之图像感测器,其中包含透过前述开关元件传输在前述像素电极收集的电荷的信号线,将前述层间绝缘膜夹在中间,前述信号线和前述像素电极重叠被配置。20.如申请专利范围第9项之图像感测器,其中包含透过前述开关元件传输在前述像素电极收集的电荷的信号线,将前述层间绝缘膜夹在中间,前述信号线和前述像素电极重叠被配置。21.如申请专利范围第10项之图像感测器,其中包含透过前述开关元件传输在前述像素电极收集的电荷的信号线,将前述层间绝缘膜夹在中间,前述信号线和前述像素电极重叠被配置。22.一种图像感测器之制造方法,其特征在于:包含以下制程:在绝缘性基板上形成多数开关元件,多数扫描线及多数信号线;在这些上层形成由感光性有机膜所构成的层间绝缘层薄膜;在所成膜的感光性有机膜施以曝光、显影;在前述层间绝缘膜上形成像素电极;及,在前述像素电极上形成将入射电磁波转换成电荷的转换机构,对于前述感光性有机膜,施加于前述开关元件上的至少一部分和剩余部分的曝光量互相不同者。23.如申请专利范围第22项之图像感测器之制造方法,其中调整前述感光性有机膜的曝光量,以便比剩余部分薄地形成前述层间绝缘膜的前述开关元件上层部分。图式简单说明:图1显示本发明之实施一形态,系图像感测器正面图。图2为图1所示的图像感测器的B-B线截面图。图3为关于本发明其他实施形态的图像感测器截面图。图4为关于本发明另外其他实施形态的图像感测器截面图。图5为从上述图4的结构去掉介质层的图像感测器截面图。图6为显示使用以往的主动式矩阵基板的图像感测器具体一构造例的截面图。图7为显示其他习知技术的图像感测器构造例的截面图。图8为显示图像感测器构造例的截面图。图9为显示其他图像感测器构造例的截面图。 |
