| 主权项 |
1.一种将快闪记忆体转换为快闪唯读记忆体之方法,上述快闪记忆体包括一周边电路区,而上述周边电路区具有高压MOS元件以及电荷帮浦(charge pump)元件中之一般电压MOS元件,包括下列步骤:于形成上述高压MOS元件以及一般电压MOS元件时,定义上述高压MOS元件以及一般电压MOS元件之场氧化层区;及形成场氧化层于上述场氧化层区,使得上述高压MOS元件以及一般电压MOS元件受到上述场氧化层之阻隔而无法动作。2.如申请专利范围第1项所述之将快闪记忆体转换为快闪唯读记忆体之方法,其中上述场氧化层区之界定方式是藉由取得编码植入层(code implant)以及多晶矽层之重叠区域。3.如申请专利范围第2项所述之将快闪记忆体转换为快闪唯读记忆体之方法,其中上述场氧化层区之区域定义是藉由光罩逻辑运算方式产生。4.如申请专利范围第3项所述之将快闪记忆体转换为快闪唯读记忆体之方法,其中上述场氧化层系位于上述MOS元件之源极以及汲极之间。5.如申请专利范围第1项所述之将快闪记忆体转换为快闪唯读记忆体之方法,其中上述快闪记忆体为分离闸极快闪式记忆体。6.如申请专利范围第1项所述之将快闪记忆体转换为快闪唯读记忆体之方法,其中上述快闪记忆体为堆叠闸极快闪式记忆体。7.一种将快闪记忆体转换为快闪唯读记忆体之方法,上述快闪记忆体包括一周边电路区,而上述周边电路区具有高压MOS元件以及电荷帮浦(charge pump)元件中之一般电压MOS元件,包括下列步骤:于形成上述高压MOS元件以及一般电压MOS元件时,藉由编码植入层(code implant)以及多晶矽层之重叠区域,于上述高压MOS元件以及一般电压MOS元件之源极以及汲极之间定义场氧化层区;及形成场氧化层于上述场氧化层区,使得上述高压MOS元件以及一般电压MOS元件受到上述场氧化层之阻隔而无法动作。8.如申请专利范围第7项所述之将快闪记忆体转换为快闪唯读记忆体之方法,其中上述场氧化层区之区域定义是藉由光罩逻辑运算方式产生。9.如申请专利范围第7项所述之将快闪记忆体转换为快闪唯读记忆体之方法,其中上述快闪记忆体为分离闸极快闪式记忆体。10.如申请专利范围第7项所述之将快闪记忆体转换为快闪唯读记忆体之方法,其中上述快闪记忆体为堆叠闸极快闪式记忆体。图式简单说明:第1A图系显示传统堆叠式快闪记忆单元之剖面图。第1B图系显示传统分离闸极快闪式记忆单元之剖面图。第2图系显示传统技术以斜向方式植入P型杂质至周边电路之MOS电晶体之剖面图。第3A图至第3C图系显示光罩逻辑运算之示意图。第4A图系显示根据本发明实施例所述之快闪记忆体于周边电路之高压MOS元件或者电荷帮浦元件中的一般电压MOS元件之顶视图。第4B图系显示第4A图沿AA'线之剖面图。第5图系显示根据本发明实施例所述之快闪唯读记忆体于周边电路之高压MOS元件或者电荷帮浦元件中的一般电压MOS元件之剖面图。 |
