| 主权项 |
1.一种六方晶氮化硼膜,其特征在于:使氮原子与氢原子之结合及硼原子与氢原子之结合的合计含量为4莫耳%以下。2.一种六方晶氮化硼膜,其特征在于:对于六方晶氮化硼,使c轴方向之面间隔相对于3.3延伸5~30%,但使a轴方向之面间隔的延伸相对于2.2抑制于5%以内。3.一种六方晶氮化硼膜,其特征在于c轴方向相对于基板呈水平方向。4.一种层间绝缘膜,其特征在于:系使用申请专利范围第1~3项中之任一者的六方晶氮化硼膜。5.根据申请专利范围第4项之层间绝缘膜,其中前述六方晶氮化硼膜乃含有:40莫耳%以下之非晶形氮化硼、或、40莫耳%以下之立方晶氮化硼膜、或合计为40莫耳%以下之非晶形氮化硼与立方晶氮化硼。6.一种六方晶氮化硼膜之制造方法,其系使用离子蒸镀法,其乃含有在真空中氮离子或氮与稀有气体之混合离子的照射,及硼供给源的蒸镀,其特征在于:使用一不含与氢原子结合之氮及硼供给源。7.根据申请专利范围第6项之六方晶氮化硼膜的制造方法,其中前述成膜基板温度为200℃以下。8.根据申请专利范围第6或7项之六方晶氮化硼膜的制造方法,其中进一步含有使氢进行离子注入之步骤。9.一种电浆CVD装置,其特征在于具备:于半导体晶圆上成膜之低比介电率的配线间绝缘膜表面,形成一作为保护膜之低比介电性膜的成膜装置;将前述半导体晶圆加热至特定温度之加热装置。10.一种电浆CVD装置,其特征在于具备:于前述半导体晶圆形成低比介电率之配线间绝缘膜的成膜装置;于前述配线间绝缘膜之表面形成一作为保护膜的低比介电性膜之成膜装置;将前述半导体晶圆加热至特定温度之加热装置。11.根据申请专利范围第10项之电浆CVD装置,其中具备一使前述配线间绝缘膜多孔质化之多孔质化装置。图式简单说明:第1图系表示一含有层间绝缘膜之积体电路元件一例的图。第2图系表示习知h-BN膜(第2图A)、本发明之h-BN膜(第2图B)。第3图系表示本发明中所使用之离子蒸镀法的成膜装置图。第4图系表示实施形态1所得到之h-BN膜经红外线吸收分光(FTIR)测定的结果,区域A系依NH结合之谱,区域B系依BH结合之谱所显现的区域图。第5图系表示本发明之电浆CVD装置构成图。第6图系表示本发明所制造之半导体元件构成图。第7图系表示本发明之制造制程的流程图。第8图系表示本发明之制造制程的流程图。第9图系表示本发明之制造制程的流程图。 |
