| 主权项 |
1.一种用以处理半导体晶圆的设备,该设备至少包含:一半导体晶圆处理工具;一缺陷源辨识器,连接至少一量测机台,用以自被处理于半导体晶圆处理工具中之晶圆,收集晶圆资料;及一工具资料收集及控制系统,连接至该缺陷源辨识器及半导体晶圆处理工具,用以反应于为该缺陷源辨识器所收集之晶圆资料,预测于该半导体晶圆处理工具中之元件故障。2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之工具资料收集及控制系统产生用于半导体晶圆处理工具之控制信号。3.如申请专利范围第2项所述之设备,其中上述之控制信号系用以避免于该半导体晶圆处理工具内之元件故障。4.如申请专利范围第1项所述之设备,更包含一通讯网路连接该缺陷源辨识器至该工具资料收集及控制系统。5.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该量测机台系被整合至该半导体晶圆处理工具。6.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之缺陷源辨识器系连接至至少一晶圆再检视机台,及一电气测试机台,及一检视机台,其提供另外之晶圆资料。7.如申请专利范围第1项所述之设备,更包含一资料采集引擎,连接至该缺陷源辨识器及该工具资料收集及控制系统。8.如申请专利范围第1项所述之设备,更包含一资料采集引擎,用以共相关为该缺陷源辨识器所收集之资料与为该工具资料收集及控制系统所收集之处理资讯。9.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之晶圆资料包含缺陷资料。10.如申请专利范围第1项所述之设备,更包含一缺陷知识库,连接至该缺陷源辨识器。11.如申请专利范围第1项所述之设备,更包含一处理知识库连接至该缺陷源辨识器。12.如申请专利范围第1项所述之设备,更包含一知识库,包含缺陷及处理资料,连接至该缺陷源辨识器。13.一种处理半导体晶圆的方法,至少包含步骤:于一半导体晶圆处理工具内,处理一半导体晶圆;收集在该半导体晶圆上有关缺陷的晶圆资料;收集于处理该半导体晶圆时所使用之有关处理参数的处理资料;及反应于该晶圆资料及处理资料,预测半导体晶圆处理工具之元件的故障。14.如申请专利范围第13项所述之方法,更包含:调整半导体晶圆处理工具,以避免该预测试元件故障。15.如申请专利范围第13项所述之方法,更包含:共相关该晶圆资料与该处理资料,以加强该预测正确性。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该晶圆资料系使用一晶圆再检视机台,一晶圆检视机台,一电气测试机台,或量测机台之至少之一加以产生。17.如申请专利范围第13项所述之方法,更包含:储存晶圆资料于一缺陷知识库并储存该处理资料于一处理知识库中。18.一种处理半导体晶圆之方法,至少包含步骤:于一半导体晶圆处理工具内,处理一半导体晶圆;使用一缺陷源辨识器,收集有关于半导体晶圆上之晶圆资料;使用一工具资料收集及控制系统,收集有关于处理半导体晶圆时所使用之处理参数的处理资料;将晶圆资料与该工具资料收集及控制系统相通讯;及反应于该晶圆资料及处理资料,而预测半导体晶圆处理工具之元件的故障。19.如申请专利范围第18项所述之方法,更包含步骤:要求另外之晶圆资料予以为该缺陷源辨识器所收集并与该工具资料收集及控制系统相通讯。20.如申请专利范围第18项所述之方法,更包含步骤:调整该半导体晶圆处理工具,以避免该预测元件故障。21.如申请专利范围第18项所述之方法,更包含步骤:共相关晶圆资料与该处理资料,以增加预测正确性。22.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该晶圆资料系使用一晶圆再检视机台,一晶圆检视机台,一电气测试机台,或一量测机台之至少之一加以产生。图式简单说明:第1图为依据本发明之一实施例的半导体处理系统的方块图;第2图为依据本发明之一实施例的处理的流程图;第3图为一依据本发明之一实施例的用以共相关缺陷及处理资料的处理的流程图;及第4图为一依据本发明之一实施例之缺陷及处理资料的图形代表。 |
