| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体的电容器之制造方法,包括:提供一基底,该基底形成隔离结构用以界定一第一主动区和相邻之一第二主动区,每一主动区中形成有包含一共用源极、二汲极与二闸极的二电晶体,在包含该些电晶体的该基底上形成有一第一绝缘层,且该第一绝缘层中具有复数第一导电插塞和复数第二导电插塞分别与该些汲极和该些源极接触;在包含该些第一和第二导电插塞之该第一绝缘层形成一蚀刻停止层;在该蚀刻停止层上形成一第二绝缘层,该第二绝缘层中具有复数电容储存窗口对应于该些第一导电插塞;涂布一第一光阻层,以填满该些电容储存窗口;将该第一主动区一侧之电容储存窗口和该第二主动区邻近该第一主动区一侧之电容储存窗口之间之该光阻层曝光后移除,以暴露出其下方之该第二绝缘层的表面,使该第一光阻层转为一第一图案化光阻层;移除暴露出之该第二绝缘层,至暴露出之该第二绝缘层的一第一上表面低于覆盖于该第一图层化光阻下方之该第二绝缘层的一第二上表面一距离;移除该第一图案化光阻层;在该第二绝缘层之该第一和第二上表面及该些电容储存窗口底部及侧壁形成一导电薄层;涂布一第二光阻层,于该导电薄层上,并填满该些电容储存窗口;将该第二光阻层全面性部份曝光后移除,至暴露出位于该第二绝缘层之该第一和第二上表面之该导电薄层,使该第二光阻层转为一第二图案化光阻层;移除暴露出之该导电薄层,使该导电薄层仅位于该些电容储存窗口的表面,以形成对应于该些电容储存窗口之复数下电极;移除该第二图案化光阻层;在该导电薄层表面形成一电容器绝缘层;在该电容器绝缘层上全面性沈积形成一导电层;以及移除该导电层,至暴露出该第二绝缘层之该第二上表面,以形成一上电极。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的电容器之制造方法,其中在形成该上电极之后更包括:在该上电极上方形成一第三绝缘层;以及于该第三绝缘层、该第二绝缘层以及该蚀刻停止层中形成复数位元线导电插塞与该些第二导电插塞接触。3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的电容器之制造方法,其中该导电薄层为半球型矽晶粒(HSG)。4.如申请专利范围第3项所述之动态随机存取记忆体的电容器之制造方法,其中该电容器绝缘层的材质系为氧化物/氮化物/氧化物(ONO)。5.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的电容器之制造方法,其中该第一和第二绝缘层的材质为二氧化矽。6.如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体的电容器之制造方法,其中该蚀刻停止层的材质系择自由氮化矽和氮氧化矽所组成的族群中。7.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的电容器之制造方法,其中该些电容储存窗口系呈筒状。图式简单说明:第1图系根据习知技术之一形成动态随机存取记忆体的部分剖面图。第2A图至第2M图为第3图的II-II剖面图,其系为根据本发明较佳实施例形成动态随机存取记忆体之电容器之制程剖面图。第3图系为根据本发明较佳实施例之动态随机存取记忆体的上视图。第4图系为第2L图的上视图。 |
