可容许制程变化之积体电路设计

摘要

积体电路之操作参数系被作成大致对制程变动不敏感，藉由架构该电路，使得一环境参数，例如至电路之一部份之供给电压系为一或多数制程参数之函数，该制程参数系例如导通临限电压及于该部份电路中之迁移率。以此方式，于电路操作参数上之制程参数的作用可以为部份或完全地为环境参数上之制程参数之作用所偏置。于一例示实施例中，电路操作参数系为一环形振荡器之一振荡周期。一电压调整器产生一参考电压，该电压系至少部份为已知于环形振荡器中之已知制程参数变化所决定。环形振荡器利用由电压调整器所产生之参考电压作为其供给电压，及其振荡周期藉以作成对制程参数变化不敏感。另外，通接偏压作用可以引入于电压调整器中，以补偿由环形振荡器之特定架构所造成之逆接偏压作用。本发明之设计技术可以应用于不同类型之积体电路，操作参数，环境参数及制程参数中。

主权项

1.一种制造操作参数系依至少一处理参数及至少一环境参数之函数f1加以变化之电路的方法,该方法包含步骤:架构该电路,使得环境参数为制程参数之一函数f2,藉由基于至少函数f1之已知特征的一部份,并且,不使用基于处理参数检测时之环境参数的回授控制,而预选择函数f2,其中制程参数对电路操作参数之作用系至少部份被在环境参数上之制程参数之作用所补偿。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电路为一CMOS积体电路。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中制程参数对电路操作参数之作用作为在环境参数上之制程参数之作用所实际补偿。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中至少一处理参数包含一或多数以下参数:导通临限电压,通道迁移率,闸极电容,汲极电容,欧莱电压,饱和参数,及转换时间。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中至少一环境参数包含一或多数以下参数:供给电压,电流产生器控制电压,主动负载控制电压,逆接偏压,及操作温度。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电路操作参数系为一振荡周期,制程参数包含导通临限电压及通道迁移率,及环境参数包含供给电压。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该架构步骤包含于电路中之第一部份产生一参考电压,该电压系至少部份基于电路第二部份之已知制程参数变化而决定。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该电路之第一部份为该电路电压调整器部,及该电路之第二部份为利用由电压调整器所产生之参考电压作为供给电压之一部份。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中一逆接偏压作用至少相关于该电路第一部份中之一电晶体,该逆接偏压作用系被利用以补偿相关于该电路第二部份中之至少一电晶体之逆接偏压作用。10.一种具有一操作参数随着至少一制程参数及至少一环境参数的函数f1改变之电路,该电路包含:一第一电路部份,用以产生一输出,其中第一电路部份系架构以使得环境参数系为制程参数之函数f2;藉由基于至少函数f1之已知特征的一部份,并且,不使用基于处理参数检测时之环境参数的回授控制,而预选择函数f2,及一第二电路部份,被架构以接收由第一电路部所产生之输出作为一输入,并操作以依据该操作参数产生一输出,使得对第二电路部中之电路操作参数上之制程参数之作用系至少部份为于环境参数上之制程参数之作用所补偿。11.如申请专利范围第10项所述之电路,其中第一及第二电路部份为一CMOS积体电路之一部份。12.如申请专利范围第11项所述之电路,其中至少一制程参数包含一或多数以下参数:导通临限电压,通道迁移率,闸极电容,汲极电容,欧莱电压,饱和参数,及转换时间。13.如申请专利范围第11项所述之电路,其中至少一环境参数包含一或多数以下参数:供给电压,电流产生器控制电压,主动负载控制电压,逆接偏压,及操作温度。14.如申请专利范围第11项所述之电路,其中该电路操作参数系为一振荡周期,制程参数包含导通临限电压及通道迁移率,及环境参数包含供给电压。15.如申请专利范围第11项所述之电路,其中该第一电路部份产生一参考电压,该电压系至少部份基于第二电路部份之已知制程参数变化而决定。16.如申请专利范围第15项所述之电路,其中该第一电路部份为一电压调整器电路,及该第二电路部份利用由电压调整器所产生之参考电压作为供给电压。17.如申请专利范围第15项所述之电路,其中一逆接偏压作用至少相关于该第一电路部份中之至少一电晶体,该逆接偏压作用系被利用以补偿相关于该第二电路部份中之至少一电晶体之逆接偏压作用。18.一种制造操作参数系依制程有关电晶体导通参数及一供给电压之函数f1变化的积体电路之方法,该方法包含步骤:架构该电路,使得所施加之电压为导通参数之函数f2,其中电路操作参数上导通参数之作用系至少部份被施加电压上之导通参数之作用所补偿。19.一种具有一操作参数系依制程有关电晶体导通参数及所施加之供给电压之函数f1改变的积体电路,其中所施加之电压系被选择为导通参数之函数f2,藉由基于至少函数f1之已知特征的一部份,并且,不使用基于导通参数之检测时之供给电压的回授控制,而预选择函数f2,使得于电路操作参数上之导通参数之作用系至少部份被所施加电压之导通参数之作用所补偿。20.一种具有一操作参数系依制程有关电晶体导通参数及所施加电压之函数f1改变的积体电路,该电路包含:一电压调整器,用以依导通参数之函数f2产生该所施加之电压,其中该函数f2系基于至少f1之已知特征的一部分,且不使用基于导通参数检测时所施加之电压的回授控制加以预选择,使得于电路操作参数上之导通参数之作用系至少部份被施加电压之导通参数之作用所补偿;及一电路部份,具有一供给电压输入连接至电压调整器之输出,并作用以依据该操作参数产生一输出。图式简单说明:第1图为传统积体电路之一部份之方块图。第2及3图为分别本发明之第一及第二实施例,其中一调整电压系应用至环形振荡器电路。第4及5图分别为适用于第2及3图之电压调整器电路之另一实施法。第6图为振荡周期中之变化为于环形电路中之供给电压VDD之函数,该环形振荡电路系为没有电压调整之VDD所直接驱动。第7及8图为由统计分析所决定之未补偿及已补偿环形振荡器电路之标称化振荡周期之梯级频率分布图。