一种多微波源之电浆产生装置

摘要

多个微波源分别以天线馈送能量，经抛物线面反射与聚集后，形成高密度的微波能量。透过天线、反射面与反应槽的几何安排，可构成大面积的微波涵盖与作均匀控制。在低真空的反应槽内，密集的微波能量将注入的制程气体激化，产生电浆与自由基。产生的电浆因梯度扩散或磁力线的导引，使活化的制程气体与晶圆产生反应，构成乾式灰化或电浆强化化学蒸镀(PE-CVD)等半导体多样的制程应用。本项创新的技术简单、实现容易，连同气体注入、真空装置、晶圆座、监看仪具与程序控制等可有效构成多样的半导体制程机具。

主权项

1.一种多微波源之电浆产生装置,具有下列特征:复数的微波能量源,各经传输与匹配器,分以天线将微波能量作初步聚集,各以概略平行抛物线面轴线的指向送出;各微波源的能量经抛物线面反射,于抛物线面的焦点区域作集中,经由介电窗馈入真空反应槽;高密度的微波能量将由外部送入反应槽的复数制程气体游离或活化,产生电浆,供晶圆基座上的晶圆作制程加工所需;复数的微波吸收材料或结构,用以减少微波能量的漫射;复数的辅助磁铁,置上述反应槽的外围,其磁力线引导电浆至晶圆处,并控制电浆的均匀度。2.如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置,其反应槽置于抛物线面反射面的焦点附近,按微波能量聚集范围的需要作适当的调整。3.如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置,其复数的制程气体源,具分别控制流量的装置。4.如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置,其晶圆基座置于前述反应槽内的下方,具位置调整与偏压装置,以控制晶圆处的电浆分布。5.如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置,其辅助磁铁,可为适当型式的电磁铁或永久磁铁。6.如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置,其抛物线面反射面,调整其焦点的位置,配合前述各天线的轴线与场型,使前述各微波源的能量作累积或分区馈送,构成大面积的涵盖,并控制其分布的均匀度。7.如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置,其微波能量源,可为集中或分散的固态或真空管等射频元件所构成。图式简单说明:图一 现有单微波源电浆产生系统方块图图二 多微波源之电浆产生系统方块图