| 主权项 |
1.一种以TiN插塞来充填基材氧化物层内之通孔以及封端之方法,其包括:在氧化物层上沉积第一个TiN层以形成插塞,用于充填通孔,以及在第一个TiN层上沉积第二个TiN层以将第一层封端。2.如申请专利范围第1项之方法,其包括在具有直径小于约0.16微米之通孔中沉积第一个TiN层以形成插塞。3.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包括以热CVD沉积第一个TiN层,以及以PECVD沉积第二个TiN层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中所沉积之第一个TiN层为约800埃厚,而所沉积之第二个TiN层为约700埃至约1200埃厚。5.如申请专利范围第1项之方法,其中第一与第二TiN层之沉积,系在单一反应室中,于温度约650℃之固定基座中进行。6.一种以TiN插塞充填基材氧化物层中具有直径小于约0.16微米通孔之方法,其包括以热CVD沉积约1500埃至约2000埃之单一TiN层至基材之通孔与氧化物层。7.一种以TiN插塞充填基材氧化物层中具有直径小于约0.16微米通孔之方法,其包括以PECVD沉积约1500埃至约2000埃之单一TiN层至基材之通孔与氧化物层。8.一种以TiN插塞来充填基材氧化物层内之通孔以及封端之产物,其包括:在氧化物层上沉积第一个TiN层以形成插塞,用于充填通孔,以及在第一个TiN层上沉积第二个TiN层以将第一层封端,藉此,基材之TiN层具有厚度约1500埃至约2000埃。9.一种以TiN插塞充填基材氧化物层中具有直径小于约0.16微米通孔之产物,其包括以热CVD沉积约1500埃至约2000埃之单一TiN层至基材之通孔与氧化物层,藉此,基材之TiN层具有厚度约1500埃至约2000埃。10.一种以TiN插塞充填基材氧化物层中具有直径小于约0.16微米通孔之产物,其包括以PECVD沉积约1500埃至约2000埃之单一TiN层至基材之通孔与氧化物层,藉此,基材之TiN层具有厚度约1500埃至约2000埃。11.一种用于基材氧化物层中具有直径小于约0.16微米通孔之接点插塞,其包括第一与第二TiN层,其中第一个TiN层为约800埃厚,而第二个TiN层为约700埃至约1200埃厚。12.如申请专利范围第11项之接点插塞,其中第一个TiN层为实质上100%一致性。13.一种用于基材氧化物层中具有直径小于约0.16微米通孔之接点插塞,其包括一层厚约1500埃至约2000埃之TiN层。14.如申请专利范围第13项之接点插塞,其中TiN层实质上不含微裂缝。图式简单说明:图1是基座与基材之示意图。图2是CVD反应室之横截面示意图。图3是以两步骤方法所形成接点插塞之示意图。图4是以单步骤方法所形成接点插塞之示意图。图5A与5B是以替代之单步骤方法所形成接点插塞之示意图。 |
