| 主权项 |
1.一种绝缘膜之蚀刻方法,其特征在于使用一混合气体作为蚀刻气体,该混合气体至少包含:C≧4.C/F比大于0.625之第一氟碳系气体;F≧4.C/F比大于0.5之第二氟碳系气体;Ar气体;与O2气体。2.根据申请专利范围第1项之绝缘膜之蚀刻方法,其特征在于该第一氟碳系气体为C5F8气体或C4F6气体。3.根据申请专利范围第2项之绝缘膜之蚀刻方法,其特征在于该第二氟碳系气体为选自CF4气体、C2F6气体、C3F8气体、C4F8气体之任一者。4.根据申请专利范围第1项之绝缘膜之蚀刻方法,其特征在于该第一氟碳系气体与该第二氟碳系气体之流量比(第一氟碳系气体流量/第二氟碳系气体流量)为0.5以上。5.根据申请专利范围第1项之绝缘膜之蚀刻方法,其特征在于该混合气体系另含氢氟碳系气体。6.根据申请专利范围第5项之绝缘膜之蚀刻方法,其特征在于该氢氟碳系气体为CH2F2。7.根据申请专利范围第1项之绝缘膜之蚀刻方法,其特征在于该混合气体整体之C/F比为0.5以上。8.根据申请专利范围第1项之绝缘膜之蚀刻方法,其特征在于该绝缘膜为矽氧化膜。9.根据申请专利范围第8项之绝缘膜之蚀刻方法,其特征在于该矽氧化膜之上层或下层系显露出矽氮化膜。10.根据申请专利范围第9项之绝缘膜之蚀刻方法,其特征在于系在自行对准接触孔之形成步骤中,进行该矽氧化膜之蚀刻。11.根据申请专利范围第1项之绝缘膜之蚀刻方法,其特征在于系使形成有该绝缘膜之基板温度为80至120℃。图式简单说明:图1为显示本发明之一实施例所例示蚀刻装置之概略构成截面图。图2为显示本发明之一实施例所例示蚀刻试料之构成截面图,图2(a)系显示蚀刻前,图2(b)系显示蚀刻后。图3系显示本发明之一实施例所例示之以氟碳种类及流量比为参数时之蚀刻特性。图4系显示本发明之一实施例所例示之蚀刻气体整体之C/F比计算结果。图5系显示本发明之一实施例所例示之CF4添加量与蚀刻特性之关系,图5(a)系显示蚀刻率、抗蚀剂遮光罩选择比,图5(b)系显示弓形率、底径率。图6系显示本发明之一实施例所例示之C2F6添加量与蚀刻特性之关系,图6(a)系显示蚀刻率、抗蚀剂遮光罩选择比,图6(b)系显示弓形率、底径率。图7系显示本发明之一实施例所例示之C3F8添加量与蚀刻特性之关系,图7(a)系显示蚀刻率、抗蚀剂遮光罩选择比,图7(b)系显示弓形率、底径率。图8为显示本发明之一实施例所例示蚀刻试料之构成截面图。图9系显示本发明之一实施例所例示之CF4添加量与蚀刻特性之关系。图10系显示本发明之一实施例所例示之蚀刻特性之温度关联性。 |
