发明名称 发光装置、电子设备及其制造方法
摘要 提供一种高度可靠的发光装置,而在此发光装置中,有机发光装置不会因氧化、潮湿等而退化。此有机发光装置使用包装膜(105)来予以真空压合,而包装膜被覆盖以一含有Ar的DLC膜(或者一氮化矽膜、一A1N膜、一表示成A1Nx0y之化合物的膜)(106)。有机发光装置因此能够与外界完全隔离,并且能够防止湿气、氧气或者其他会加速有机发光装置之退化的外部物质进入此有机发光装置。
申请公布号 TW521447 申请公布日期 2003.02.21
申请号 TW091102820 申请日期 2002.02.19
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平;丸山纯矢;小仓庆一;高山彻
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种发光装置,包括:一主动矩阵基板,其上形成一具有薄膜电晶体之发光元件;一乾燥剂;及一保护单元,包裹住该主动矩阵基板,其中,该保护单元系一膜,该膜至少局部设有一包括稀有气体元素和碳之薄膜。2.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该发光元件具有一阳极、一阴极和一设置在该两极之间的EL材料。3.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该保护单元藉由真空压合而和主动矩阵基板接触。4.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该膜被覆盖以含有碳的薄膜。5.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该保护单元膜被设置有一薄膜,而在该薄膜的内侧或外侧主要含有碳。6.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该含有碳的薄膜系一DLC膜。7.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该稀有气体元素系从由He、Ne、Ar、Kr和Xe所构成的组中所选出的一种或多种元素。8.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该乾燥剂系氧化钡和氧化钙中的至少其中一者。9.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该发光装置系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。10.一种发光装置,包括:一主动矩阵基板,其上形成有一具有薄膜电晶体的发光元件;一乾燥剂;及一保护单元,包裹住该主动矩阵基板,其中,该保护单元系一膜,该膜至少局部设有一含有稀有气体元素的氮氧化矽膜。11.如申请专利范围第10项的发光装置,其中,该乾燥剂系氧化钡和氧化钙中的至少其中一者。12.如申请专利范围第10项的发光装置,其中,该发光装置至少系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。13.一种发光装置,包括:一主动矩阵基板,其上形成具有一具有薄膜电晶体的发光元件;一乾燥剂;及一保护单元,包裹住该主动矩阵基板,其中,该保护单元系一膜,该膜至少局部设有一含有稀有气体元素的氮化矽膜。14.如申请专利范围第13项的发光装置,其中,该乾燥剂至少系氧化钡和氧化钙中的至少其中一者。15.如申请专利范围第13项的发光装置,其中,该发光装置系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。16.一种发光装置,包括:一主动矩阵基板,其上形成有一具有薄膜电晶体的发光元件;一乾燥剂;及一保护单元,包裹住该主动矩阵基板,其中,该保护单元系一膜,该膜至少局部设有一含有稀有气体元素的AlNxOy膜。17.如申请专利范围第16项的发光装置,其中,该乾燥剂系氧化钡和氧化钙中的至少其中一者。18.如申请专利范围第16项的发光装置,其中,该发光装置系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。19.一种发光装置,包括:一主动矩阵基板,其上形成有一具有薄膜电晶体的发光元件;一乾燥剂;及一保护单元,包裹住该主动矩阵基板,其中,该保护单元系一膜,该膜至少部局设有一含有稀有气体元素的AlN膜。20.如申请专利范围第19项的发光装置,其中,该乾燥剂系氧化钡和氧化钙中的至少其中一者。21.如申请专利范围第19项的发光装置,其中,该发光装置系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。22.一种发光装置,包括:一基板,其上形成有一发光元件;一乾燥剂;及一保护单元,包裹住该主动矩阵基板,其中,该保护单元系一膜,该膜至少局部设有一包含稀有气体元素和无机材料的薄膜。23.如申请专利范围第22项的发光装置,其中,该稀有气体元素系从由He、Ne、Ar、Kr和Xe所构成的组中所选出的一种或多种元素。24.如申请专利范围第22项的发光装置,其中,该乾燥剂系氧化钡和氧化钙中的至少其中一者。25.如申请专利范围第22项的发光装置,其中,该发光装置系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。26.一种发光装置的制造方法,包括步骤如下:在具有绝缘表面的基板上形成一发光元件;使基板的厚度变薄;将可挠印刷基板黏结于基板的边缘;和使用一膜来真空密封发光元件和一部分的可挠印刷基板,该膜系覆盖以一主要含有碳的薄膜。27.如申请专利范围第26项之发光装置的制造方法,另包括在真空密封步骤之前放置乾燥剂,以与可挠印刷基板接触的步骤。28.如申请专利范围第26项之发光装置的制造方法,其中,该真空密封步骤采用热压合。29.如申请专利范围第26项之发光装置的制造方法,其中,该含碳的薄膜系一含有稀有气体元素的DLC膜。30.如申请专利范围第26项之发光装置的制造方法,其中,该稀有气体元素系从由He、Ne、Ar、Kr和Xe所构成的组中所选出的一种或多种元素。31.如申请专利范围第26项之发光装置的制造方法,其中,包含在薄膜中的稀有气体之浓度为0.1原子%或者高于0.1原子%。32.如申请专利范围第26项之发光装置的制造方法,其中,该发光装置系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。图式简单说明:图1A到1C系显示发光装置之制造过程的示意图;图2系显示发光装置之制造过程的示意图;图3系显示用以形成DLC膜的装置(电浆CVD装置)之示意图;图4A及4B分别系OLED模组的顶视图和剖面图;图5A到5D系主动矩阵基板之制造过程的示意图;图6A到6C系主动矩阵基板之制造过程的示意图;图7A及7B系主动矩阵基板之制造过程的示意图;图8A到8H系显示电子设备实例的示意图;图9系显示使用溅射之膜形成装置的示意图;图10系显示AlNxOy(X<Y)膜穿透率的图表;图11系显示AlN膜之穿透率的图表;图12系显示各种膜之湿气渗透率的图表。
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