主权项 |
1.一种发光装置,包括:一主动矩阵基板,其上形成一具有薄膜电晶体之发光元件;一乾燥剂;及一保护单元,包裹住该主动矩阵基板,其中,该保护单元系一膜,该膜至少局部设有一包括稀有气体元素和碳之薄膜。2.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该发光元件具有一阳极、一阴极和一设置在该两极之间的EL材料。3.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该保护单元藉由真空压合而和主动矩阵基板接触。4.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该膜被覆盖以含有碳的薄膜。5.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该保护单元膜被设置有一薄膜,而在该薄膜的内侧或外侧主要含有碳。6.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该含有碳的薄膜系一DLC膜。7.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该稀有气体元素系从由He、Ne、Ar、Kr和Xe所构成的组中所选出的一种或多种元素。8.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该乾燥剂系氧化钡和氧化钙中的至少其中一者。9.如申请专利范围第1项的发光装置,其中,该发光装置系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。10.一种发光装置,包括:一主动矩阵基板,其上形成有一具有薄膜电晶体的发光元件;一乾燥剂;及一保护单元,包裹住该主动矩阵基板,其中,该保护单元系一膜,该膜至少局部设有一含有稀有气体元素的氮氧化矽膜。11.如申请专利范围第10项的发光装置,其中,该乾燥剂系氧化钡和氧化钙中的至少其中一者。12.如申请专利范围第10项的发光装置,其中,该发光装置至少系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。13.一种发光装置,包括:一主动矩阵基板,其上形成具有一具有薄膜电晶体的发光元件;一乾燥剂;及一保护单元,包裹住该主动矩阵基板,其中,该保护单元系一膜,该膜至少局部设有一含有稀有气体元素的氮化矽膜。14.如申请专利范围第13项的发光装置,其中,该乾燥剂至少系氧化钡和氧化钙中的至少其中一者。15.如申请专利范围第13项的发光装置,其中,该发光装置系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。16.一种发光装置,包括:一主动矩阵基板,其上形成有一具有薄膜电晶体的发光元件;一乾燥剂;及一保护单元,包裹住该主动矩阵基板,其中,该保护单元系一膜,该膜至少局部设有一含有稀有气体元素的AlNxOy膜。17.如申请专利范围第16项的发光装置,其中,该乾燥剂系氧化钡和氧化钙中的至少其中一者。18.如申请专利范围第16项的发光装置,其中,该发光装置系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。19.一种发光装置,包括:一主动矩阵基板,其上形成有一具有薄膜电晶体的发光元件;一乾燥剂;及一保护单元,包裹住该主动矩阵基板,其中,该保护单元系一膜,该膜至少部局设有一含有稀有气体元素的AlN膜。20.如申请专利范围第19项的发光装置,其中,该乾燥剂系氧化钡和氧化钙中的至少其中一者。21.如申请专利范围第19项的发光装置,其中,该发光装置系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。22.一种发光装置,包括:一基板,其上形成有一发光元件;一乾燥剂;及一保护单元,包裹住该主动矩阵基板,其中,该保护单元系一膜,该膜至少局部设有一包含稀有气体元素和无机材料的薄膜。23.如申请专利范围第22项的发光装置,其中,该稀有气体元素系从由He、Ne、Ar、Kr和Xe所构成的组中所选出的一种或多种元素。24.如申请专利范围第22项的发光装置,其中,该乾燥剂系氧化钡和氧化钙中的至少其中一者。25.如申请专利范围第22项的发光装置,其中,该发光装置系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。26.一种发光装置的制造方法,包括步骤如下:在具有绝缘表面的基板上形成一发光元件;使基板的厚度变薄;将可挠印刷基板黏结于基板的边缘;和使用一膜来真空密封发光元件和一部分的可挠印刷基板,该膜系覆盖以一主要含有碳的薄膜。27.如申请专利范围第26项之发光装置的制造方法,另包括在真空密封步骤之前放置乾燥剂,以与可挠印刷基板接触的步骤。28.如申请专利范围第26项之发光装置的制造方法,其中,该真空密封步骤采用热压合。29.如申请专利范围第26项之发光装置的制造方法,其中,该含碳的薄膜系一含有稀有气体元素的DLC膜。30.如申请专利范围第26项之发光装置的制造方法,其中,该稀有气体元素系从由He、Ne、Ar、Kr和Xe所构成的组中所选出的一种或多种元素。31.如申请专利范围第26项之发光装置的制造方法,其中,包含在薄膜中的稀有气体之浓度为0.1原子%或者高于0.1原子%。32.如申请专利范围第26项之发光装置的制造方法,其中,该发光装置系从由有机发光显示装置、数位照相机、个人电脑、可移动电脑、影像再生装置、眼镜型显示器、视频摄像机和可移动电话所构成的组中所选出的至少其中一者。图式简单说明:图1A到1C系显示发光装置之制造过程的示意图;图2系显示发光装置之制造过程的示意图;图3系显示用以形成DLC膜的装置(电浆CVD装置)之示意图;图4A及4B分别系OLED模组的顶视图和剖面图;图5A到5D系主动矩阵基板之制造过程的示意图;图6A到6C系主动矩阵基板之制造过程的示意图;图7A及7B系主动矩阵基板之制造过程的示意图;图8A到8H系显示电子设备实例的示意图;图9系显示使用溅射之膜形成装置的示意图;图10系显示AlNxOy(X<Y)膜穿透率的图表;图11系显示AlN膜之穿透率的图表;图12系显示各种膜之湿气渗透率的图表。 |