发明名称 ELEMENT A MEMOIRE POUR UN DISPOSITIF MEMOIRE A SEMICONDUCTEUR
摘要 <P>Une conception d'un élément (1) à mémoire est proposée, dans lequel un certain nombre de zones (N) de matériau qui sont isolées les unes des autres sont formées afin de former au moins une zone (B1,..., B4) ayant des caractéristiques électriques et/ ou magnétiques modifiées dans une zone (GOX) d'isolation qui est prévue, zone (N) de matériau qui ont ou forment des porteurs de charge libres. Une unité d'information peut de manière correspondante être lue, effacée et/ ou on peut y écrire en influençant les zones (N) de matériau, en appliquant un potentiel électrique au dispositifs (BL1,..., BL4) de ligne qui sont disposés par zone (B1..., B4).</P>
申请公布号 FR2828759(A1) 申请公布日期 2003.02.21
申请号 FR20020010405 申请日期 2002.08.20
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 MIKOLAJICK THOMAS
分类号 G11C11/56;H01L29/788;(IPC1-7):G11C11/34;H01L29/792 主分类号 G11C11/56
代理机构 代理人
主权项
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