| 摘要 |
<P>Un procédé d'écriture dans un réseau de mémoire RAM comportant des systèmes d'effacement de colonnes, consiste à écrire une première valeur logique dans une première rangée d'une pluralité de cellules de mémoire RAM (202), et activer au moins l'un d'une pluralité de signaux (206) d'effacement de colonnes alors qu'un premier signal d'autorisation d'effacement est actif pour ladite première rangée d'une pluralité de cellules de mémoire (RAM).Application notamment aux circuits intégrés de mémoire.</P>
|
