| 摘要 |
Die erfindungsgemäße photolithographische Maske basiert auf einer Kombination einer Halbtonphasenmaske und einer alternierenden Phasenmaske, derart, daß beim Durchtritt der Strahlung durch einige der Öffnungen jeweils zwischen benachbarten Öffnungen eine Phasendifferenz erzeugt wird sowie die Umgebung der Öffnungen teildurchlässig ist und die Phase der Strahlung verschiebt. Somit können die Vorteile von alternierenden Phasenmasken und Halbtonphasenmasken auf einer Maske realisiert werden und dementsprechend ergeben sich mit der erfindungsgemäßen photolithographischen Maske deutlich vergrößerte Prozeßfenster für den eigentlichen Lithographieprozeß. Insbesondere können diese Vorteile mit nur einem Absorbermaterial erzielt werden und die Größe von nicht abbildenden Hilfsstrukturen ist näherungsweise so groß wie die kleinste Hauptstruktur. |
