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发明名称 A MULTI-STAGE ARSENIC DOPING PROCESS TO ACHIEVE LOW RESISTIVITY IN SILICON CRYSTAL GROWN BY CZOCHRALSKI METHOD
摘要
申请公布号 KR20030015240(A) 申请公布日期 2003.02.20
申请号 KR20027015130 申请日期 2002.11.11
申请人 发明人
分类号 C30B15/02;C30B29/06;C30B15/00;C30B15/04 主分类号 C30B15/02
代理机构 代理人
主权项
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