| 摘要 |
Ein mehrschichtiger HF-Balunchip umfaßt einen mehrschichtigen, dielektrischen Aufbau. Das Ersatzschaltbild des mehrschichtigen, dielektrischen Aufbaus umfaßt im wesentlichen einen Eingangsanschluß (332), erste und zweite Ausgangsanschlüsse (334a, 334b) sowie einige gerade Abschnitte von breitseitig gekoppelten Leitungen (30¶1¶-30¶n¶, 31¶1¶-31¶m¶). Jeder Abschnitt der gekoppelten Leitungen hat einen Leiterverlauf mit vorbestimmter Form und umfaßt zwei gekoppelte Leitungen. Jeder Abschnitt einer gekoppelten Leitung entspricht einem gekoppelten Koeffizienten. Die Abschnitte der gekoppelten Leitungen haben vollständig symmetrische Strukturen beidseits eines geometrischen Mittelpunktes. An den symmetrischen Anschlüssen (334a, 334b) sind sowohl Phase und Amplitude gut symmetrisch. Darüber hinaus kann die Symmetrie von Phase und Amplitude durch Einfügung einer Übertragungsleitung zwischen zwei breitseitig gekoppelten Leitungen (30¶1¶a, 31¶1¶a) eingestellt werden, um eine kompliziertere Impedanzanpassung zu erzielen. Der Balun kann mit Werkstoffen mit niedriger Dielektrizitätskonstante hergestellt werden. Zusätzlich zu reduzierten Kosten ist die Stabilität des Baluns verbessert. Daher kann der Balun in Mikrochip-Größe hergestellt werden und ist zur Verwendung in drahtlosen Netzwerken oder drahtlosen Kommunikationsanlagen geeignet.
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