发明名称 |
Akustischer Film-Grundmaterial-Resonator und Verfahren zum Herstellen desselben |
摘要 |
Ein akustischer Film-Grundmaterial-Resonator wird auf folgende Weise hergestellt. Zuerst wird eine Basisschicht (12) auf einem Isoliersubstrat (11) gebildet. Dann wird eine Resonatorbaugruppe (16) auf der Basisschicht (12) gebildet. Die Resonatorbaugruppe (16) enthält eine erste Elektrode (13), die mit der Basisschicht (12) in Kontakt gehalten wird, eine zweite Elektrode (15) und eine piezoelektrische Schicht (14), die zwischen den ersten und zweiten Elektroden (13; 15) gehalten wird. Dann wird eine Resistschicht (17) gebildet, um die Resonatorbaugruppe (16) und die Basisschicht (12) zu bedecken. Danach wird ein Durchgangsloch (18) in der Resistschicht (17) gebildet, so daß die Basisschicht (12) durch das Durchgangsloch (18) exponiert wird. Dann wird ein Ätzmittel über das Durchgangsloch (18) zugeführt, um einen Raum (19) in der Basisschicht (12) unter der Resonatorbaugruppe (16) zu bilden. Schließlich wird die Resistschicht (17) entfernt. |
申请公布号 |
DE10152780(A1) |
申请公布日期 |
2003.02.20 |
申请号 |
DE2001152780 |
申请日期 |
2001.10.29 |
申请人 |
FUJITSU LTD., KAWASAKI;FUJITSU MEDIA DEVICES LTD., SUZAKA |
发明人 |
NAKATANI, TADASHI;MIYASHITA, TSUTOMU;SATOH, YOSHIO |
分类号 |
H01L41/08;H01L41/22;H03H3/02;H03H9/15;H03H9/17 |
主分类号 |
H01L41/08 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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