| 摘要 |
<p>L'invention a pour objet un silicium destiné notamment à la fabrication de cellules solaires contenant un total d'impuretés compris entre 100 et 400 ppm, une teneur en bore comprise entre 0,5 et 3 ppm, un rapport entre teneur en phosphore et bore compris entre 1 et 3, et une teneur en éléments métalliques comprise entre 30 et 300 ppm. L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un silicium de cette qualité à partir d'un silicium métallurgique affiné à l'oxygène ou au chlore et contenant moins de 500 ppm d'éléments métalliques, et comportant : - la refusion sous atmosphère neutre du silicium affiné, au four électrique équipé d'un creuset chaud, - le transfert du silicium fondu, pour réaliser un affinage sous plasma, dans un four électrique équipé d'un creuset chaud, - l'affinage sous plasma avec comme gaz plasmagène un mélange d'argon et d'au moins un gaz appartenant au groupe constitué par le chlore, le fluor, HCI et HF, - la coulée sous atmosphère contrôlée dans une lingotière ou est réalisée une solidification ségrégée.</p> |
