| 发明名称 | 高电阻透明导电膜用溅射靶及高电阻透明导电膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以基本采用DC磁控管溅射装置来制造能形成透明且高电阻的膜的高电阻透明导电膜用溅射靶以及高电阻透明导电膜的制造方法。该溅射靶是形成电阻率约为0.8～10×10<SUP>－3</SUP>Ωcm的透明导电膜的高电阻透明导电膜用氧化铟系溅射靶，含有氧化铟和根据需要的氧化锡、且含有绝缘性氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN1397661A | 申请公布日期 | 2003.02.19 |
| 申请号 | CN02124433.2 | 申请日期 | 2002.06.26 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 高桥诚一郎;池田真;渡边弘 |
| 分类号 | C23C14/34;C23C14/08 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种高电阻透明导电膜用溅射靶，是用于形成电阻率约为0.8～10×10-3Ωcm的高电阻导电膜的高电阻透明导电膜用氧化铟系溅射靶，其特征在于：含有氧化铟及根据需要的氧化锡，并且含有绝缘性氧化物。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||