堆积膜的平坦化方法

摘要

一种堆积膜的平坦化方法，在半导体衬底10上的层间绝缘膜11上形成布线沟12之后，在包括布线沟12的内表面在内的层间绝缘膜11的表面上形成阻挡金属层13。在阻挡金属层13上形成铜的种子层14之后，通过电解法使种子层14成长来堆积铜膜15。对铜膜15进行CMP的第1阶段而得到平坦化的铜膜15A之后，对平坦化的铜膜15A进行CMP的第2阶段，从而形成嵌入式布线15B，然后，除去阻挡金属层13中的存在于布线沟12的外侧的部分。将铜膜15的厚度设定为布线沟12的深度的1.6～2.0倍。能降低CMP的过分研磨完成时产生的凹状扭曲。

主权项

1、一种堆积膜的平坦化方法，其特征在于：包括：在衬底的表面部上形成沟的工序；为了填埋所述沟而在所述衬底上形成堆积膜的工序；以相对高的旋转速度和相对低的按压力对所述堆积膜进行第1阶段的化学机械研磨，消除因所述沟引起的、形成在所述堆积膜上的初始级差的工序；以相对低的旋转速度和相对高的按压力对消除了所述初始级差的所述堆积膜进行第2阶段的化学机械研磨，除去所述堆积膜中的存在于所述沟的外侧的部分的工序。