发明名称 等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相工艺及系统
摘要 等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相工艺及系统,该系统是在等离子体化学气相法生产无定型氮化硅粉体工艺的基础上增加一个连续转相热处理装置,所述装置主要由推料器、前密封箱、中温炉、高温炉、冷却带以及后密封箱组成,在该装置内装有可连续运动的多个盛粉容器,并以氨或氨与氮的混合气为保护气氛。采用本发明可连续、批量生产高α相氮化硅粉体;α相:95.5~97.5%;粒度分布特性:平均粒度D50=0.18μm~0.35μm,转相后产品中的氧含量小于0.2%,残留氯含量采用荧光X射线方法分析已经检测不到,从而有效提高了氮化硅粉体性能。
申请公布号 CN1397487A 申请公布日期 2003.02.19
申请号 CN02123440.X 申请日期 2002.06.28
申请人 清华大学 发明人 齐龙浩;白万杰;潘伟;曹阳
分类号 C01B21/068 主分类号 C01B21/068
代理机构 代理人
主权项 1.一种等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相系统,包括电源、微机数据采集系统,气液原料供应系统、水循环系统、等离子体反应器、无定型氮化硅粉体收集系统和尾气处理系统,其特征在于:该系统还包括一个连续转相热处理装置,所述热处理装置主要由推料器、前密封箱、中温炉、高温炉、冷却带以及后密封箱组成,在该装置内装有可连续运动的多个盛粉容器,在前密封箱、高温炉、冷却带以及后密封箱均设有保护气氛入口,在中温炉上设有保护气氛出口,该装置与粉体收集系统相连。
地址 100084北京市100084-82信箱