半导体激光装置

摘要

对由GaAs等的化合物半导体构成的半导体激光器件；设于该半导体激光器件的下边，由硅构成，上表面上形成了将成为半导体激光器件的电极的电极层，进行半导体激光器件的定位的激光器座；设于该激光器座的下边，通过激光器座散发半导体激光器件所产生的热的散热片用热压焊使之相互固定好。在激光器座的与已固定上半导体激光器件的主面相反一侧的面上设置凹部，在该凹部中整体地形成了由热导率比硅大的铜构成的散热体。

主权项

1.一种半导体激光装置，具备有：激光器座；已固定于上述激光器座的主面上的半导体激光器件，在上述主面和上述半导体激光器件之间插入有金属层，在与上述激光器座的主面相反一侧的面上设有凹部，在上述凹部中已整体地形成了热导率比上述激光器座大的散热体。