发明名称 | 阴极射线管 | ||
摘要 | 根据本发明的构成,采用在荫罩框架(1)的接合部相邻的两个边框构件中较短一方(31)的相对导磁率比另一方(21)的相对导磁率大或相同的、多边形形状的荫罩框架(1),由此可提供一种可减轻自荫罩框架(1)泄漏的磁场引起的电子束轨迹紊乱的程度的阴极射线管。因此,本发明在产业上具有重大意义。 | ||
申请公布号 | CN1398419A | 申请公布日期 | 2003.02.19 |
申请号 | CN01804644.4 | 申请日期 | 2001.02.07 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 八田真一郎;村井隆一;岩本洋;中寺茂夫;川崎正树 |
分类号 | H01J29/07 | 主分类号 | H01J29/07 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温大鹏 |
主权项 | 1.一种阴极射线管,其特征是,包括:内部保持真空的管壳,设在所说管壳的内部的、发射电子束的电子枪,设在所说管壳的内壁上的、当所说电子枪发射的电子束对其进行照射时发光的荧光体,使所说电子束偏转以使之在所说荧光体表面进行扫描的电子束偏转机构,旨在使靠所说偏转机构发生偏转的电子束的轨迹在外部磁场作用下发生紊乱的程度得以减轻的、设在所说管壳的内部的内部磁屏蔽罩,配置在所说荧光体的内侧面的前方的荫罩,以及,荫罩框架,是用来固定所说荫罩的多边形形状的荫罩框架,具有构成各边的边框构件以及接合相邻边框构件的接合部并且在各接合部处相邻的边框构件满足下述条件关系式μr,l≥μr,s≥1(其中,μr,l为非较短一方构件的相对导磁率,μr,s为另一方构件的相对导磁率)。 | ||
地址 | 日本大阪府 |