发明名称 具有低写入电流的磁性随机存取内存
摘要 本发明涉及一种具有低写入电流的磁性随机存取内存,是以磁性接面组件为存储核心的磁性存储单元,在磁性接面组件单元的两侧放置能流通电流的金属柱,所组成的磁性随机存取内存的改良型结构。利用磁性接面组件附近或缠绕的金属柱感应所增加的总磁场,使磁性接面组件单元处的磁场强度有明显增强,以达到本发明具有低写入电流的磁性随机存取内存的目的与功效,进而使磁性随机存取内存功率消耗降低。
申请公布号 CN1397953A 申请公布日期 2003.02.19
申请号 CN02127098.8 申请日期 2002.07.29
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 洪建中;高明哲
分类号 G11C11/15;H01L43/00 主分类号 G11C11/15
代理机构 隆天国际专利商标代理有限公司 代理人 陈红;楼仙英
主权项 1.一种具有低写入电流的磁性随机存取内存,是由多个磁性存储单元组合而成,其特征在于,所述磁性存储单元包括:一写入线,提供所述磁性存储单元写入电流信道;一字节线,提供所述磁性存储单元读出及写入电流信道;一磁性存储单元,是所述磁性随机存取内存中的磁性材料,可通过改变磁化方向以更改所述磁性存储单元数据状态;一中间金属柱,连接所述磁性存储单元与所述字节线;多个侧边金属柱,连接所述写入线,可利用通过电流增加所述磁性存储单元所感应的磁场。所述磁性存储单元利用连接一电流控制组件达到读出信号的目的。
地址 台湾省新竹县