摘要 |
Beim vorliegenden Verfahren zum Schutz vor Überspannungen beim Abschalten eines Halbleiterschalters (HS) greift gemäß der Erfindung bei Detektierung einer vordefinierten Überspannungshöhe am Halbleiterschalter (HS) eine ereignisgesteuerte Stromquelle (I1) in den Gatesteuerkreis des Halbleiterschalters (HS) während des Abschaltvorgangs ein, wodurch eine von der Überspannungshöhe abhängige Verlangsamung des Abschaltvorgangs des Halbleiterschalters (HS) herbeigeführt wird. Durch diese Maßnahmen werden unzulässig hohe Spannungsbeanspruchungen des Halbleiterschalters (HS) vermieden.
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