Preßgespritztes Leistungsbauelement und Verfahren zur Herstellung des preßgespritzten Leistungsbauelements

摘要

Ein Halbleiterbauelement enthält einen Halbleiterchip, welcher beim Betrieb Wärme erzeugt, ein Paar von Wärmesenken zum Kühlen des Chips und ein Gußharz, in welchem der Chip und die Wärmesenken eingebettet sind. Die Dicke t1 des Chips und die Dicke t2 einer der Wärmesenken, welche unter Verwendung eines Lötmittels mit dem Chip verbunden ist, genügen der Beziehung t2/t1 >= 5. Des weiteren genügen der thermische Ausdehnungskoeffizient alpha1 der Wärmesenke und der thermische Ausdehnungskoeffizient alpha2 des Gußharzes der Beziehung 0,5 alpha2/alpha1 1,5. Darüber hinaus besitzt die Oberfläche des Chips, welche dem Lötmittel gegenüberliegt, eine Rauheit Ra, welche der Beziehung Ra 500 nm genügt. Darüber hinaus ist das Lötmittel ein Lötmittel auf der Grundlage von Sn, um die Entspannung einer Druckspannung in dem Chip zu unterdrücken, welche durch das Kriechen des Lötmittels hervorgerufen wird.