Halbleiterstruktur mit vergrabenen Leiterbahnen sowie Verfahren zur elektrischen Kontaktierung der vergrabenen Leiterbahnen

摘要

Eine Halbleiterstruktur 300 weist auf mehrere erste Leiterbahnen 303, mehrere zweite Leiterbahnen 304, welche zu den ersten Leiterbahnen 303 isoliert sind und zusammen mit diesen ein Gitter bilden, und mehrere dritte Leiterbahnen 307 parallel über den ersten Leiterbahnen 303, welche teilweise die zweiten Leiterbahnen 304 überdecken und zu diesen isoliert sind, wobei zwischen jeweils zwei benachbarten zweiten Leiterbahnen 304 ein elektrischer Kontakt 305 zwischen jeder ersten Leiterbahn 303 und der jeweiligen darüber liegenden dritten Leiterbahn 307 vorgesehen ist.