| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Tempern einer Resistschicht auf einem Wafer, insbesondere einer Resistschicht für Kontaktlöcher, bei dem der mit der Resistschicht versehene Wafer mittels eines Heizblocks mit einer ebenen Heizfläche in einer vorbestimmten Umgebungsatmosphäre auf eine Temperatur im Bereich von etwa 100 bis 300°C erwärmt wird. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Unterseite des Wafers über eine den Wafer tragende dünne Schicht aus wärmeleitendem Gas berührungsfrei an die Heizfläche des Heizblocks thermisch angekoppelt wird. Bevorzugt ist in Gegenüberlage zum Heizblock ein weiterer Heizblock angeordnet, an dessen ebene Heizfläche die Oberseite des Wafers ebenfalls über eine dünne Schicht aus dem wärmeleitenden Gas berührungsfrei thermisch angekoppelt ist.</p> |
