| 摘要 |
<p>Způsob výroby výkonových polovodičových součástek se provádí tak, že alespoň jedna komponenta polovodičové součástky, jejíž nedílnou částí je monokrystalický křemík s jedním nebo více přechody PN, k jejichž vyústění na povrch křemíku přiléhá jedna nebo více dielektrických vrstev, z nichž alespoň jednu vrstvu tvoří silikonový kaučuk, se před hermetickým uzavřením do pouzdra zahřívá na teplotu v rozmezí 160 až 250 .degree.C po dobu nejméně 20 minut v atmosféře vzduchu nebo dusíku za normálního nebo sníženého tlaku a následně je neprodleně hermeticky uzavřena do pouzdra naplněného dusíkem nebo inertním plynem.ŕ</p> |
