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发明名称 Method of manufacturing a semiconductor device with shallow trench isolation (STI) sidewall implant
摘要
申请公布号 EP1282914(A2) 申请公布日期 2003.02.12
申请号 EP20010939125 申请日期 2001.05.18
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP.;INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 ALSMEIER, JOHANN;LAROSA, GIUSEPPE;LUKAITIS, JOSEPH;RENGARAJAN, RAJESH
分类号 H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
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