| 发明名称 | 半导体器件表面钝化保护材料及其制备与方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件表面钝化保护材料及其制备方法。本发明属于半导体器件生产工艺中的一种表面钝化保护材料及其制备、应用，是将具负电荷效应的金属氧化物和二氧化硅按比例掺入有机硅漆中，均匀混合后成为糊状物，涂布在半导体器件表而上，形成钝化保护层。采用本发明可使半导体器件平均漏电流减少12.6mA，电压平均提高150V，产品合格率提高15％，优品率提高36％。 | ||
| 申请公布号 | CN1101588C | 申请公布日期 | 2003.02.12 |
| 申请号 | CN96116021.7 | 申请日期 | 1996.10.30 |
| 申请人 | 山东师范大学 | 发明人 | 刘秀喜;孙瑛;薛成山;王显明 |
| 分类号 | H01B3/18 | 主分类号 | H01B3/18 |
| 代理机构 | 青岛高晓专利事务所 | 代理人 | 刘国涛 |
| 主权项 | 1、半导体器件表面钝化保护材料，以SP硅漆为原料，加入具有负电荷效应的ZrO2、TiO2、ZnO，并以SiO2作为增强剂。 | ||
| 地址 | 250014山东省济南市文化东路88号 | ||