面发光半导体激光器的制造方法及采用该激光器的传感器

摘要

带光检测部的面发光式半导体激光器的制造方法及采用该激光器的传感器。在半导体基板上的第1第2区域上，叠层形成第1和第2导电型半导体层。第1区域中第2导电型半导体层上形成与基板垂直发出光的光谐振器。第2区域中用第1第2导电型半导体层构成光电二极管。第1区域中第2导电型半导体层厚1μm以上并用作向光谐振器注入电流的下部电极。构成光电二极管的第2导电型半导体层，在刻蚀后厚度不足1μm。

主权项

1.一种带光检测部分的面发光式半导体激光器的制造方法，其特征是：在半导体基板上的第1区域上形成面发光式半导体激光器，在上述半导体基板上的第2区域上形成光电二极管的时候，具有下述步骤：(a)在上述半导体基板上的上述第1，第2区域里，共同地顺次外延生长第1导电型半导体层，厚度为1μm以上的第2导电型半导体层、半导体多层膜镜子、第1包层、量子阱构造的活性层、第2包层、接触层的步骤；(b)把上述第1区域的上述外延生长层蚀成柱状，一直刻蚀到上述第2包层的中间深度，以形成由上述第2包层和接触层构成的柱状部分的步骤；(c)在上述柱状部分的周围埋入形成绝缘层的步骤；(d)形成面对上述柱状部分的端面有开口的上部电极的步骤；(e)形成电介质多层膜镜子，把上述开口覆盖起来的步骤；(f)对上述第2区域的上述外延层进行刻蚀，一直刻蚀到上述第2导电型半导体层的中间深度，以把上述第2区域的上述第2导电型半导体层的厚度形成为不足1μm的步骤。