发明名称 |
双分裂大漏抗可控调节消弧线圈 |
摘要 |
本实用新型是公开了一种双分裂大漏抗可控调节消弧线圈的结构,采用“日”字型铁心,把高压线圈W1绕在中间铁心柱上,两个低压线圈W2和W3分别绕在两个边柱上,高压W1线圈的首端D1接到接地的中点,尾端D2接地。低压W2线圈的中部有抽头1、2,低压W3线圈的中部有抽头3、4,第一组双向可控硅由S1、S2两个可控硅组成,接在W2线圈首尾D3、D4之间。第二组双向可控硅由S3、S4两个可控硅组成,接在W3线圈首尾D5、D6之间。抽头3、4之间被短接。采用本实用新型,不仅可减少消弧线圈的体积、节省材料,使用安全可靠,而且测量系统电容电流的计算更准确。 |
申请公布号 |
CN2535960Y |
申请公布日期 |
2003.02.12 |
申请号 |
CN02229934.3 |
申请日期 |
2002.03.28 |
申请人 |
广东增城特种电力设备有限公司 |
发明人 |
张旭俊;龚多祥 |
分类号 |
H02H9/08 |
主分类号 |
H02H9/08 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、双分裂大漏抗可控调节消弧线圈,由铁心、高压线圈、低压线圈组成,其特征在于:采用“日”字型铁心,把高压线圈W1绕在中间铁心柱上,两个低压线圈W2和W3分别绕在两个边柱上,高压W1线圈的首端D1接到接地的中点,高压线圈的尾端D2接地,在低压W2线圈的中部有抽头1、2,在低压W3线圈的中部有抽头3、4,第一组双向可控硅由S1、S2两个可控硅组成,接在W2线圈首尾D3、D4之间,第二组双向可控硅由S3、S4两个可控硅组成,接在W3线圈首尾D5、D6之间。 |
地址 |
511300广东省增城市荔城镇荔石路经贸企业集团工业小区 |