减少静摩擦和钝化微电机表面的晶片水平处理方法及其所用化合物

摘要

本发明公开了在微电机结构上形成持久的抗静摩擦表面的方法，且该结构仍是以晶片的形式存在(例如在它们被分割成装配封装用的分散器件之前)。该方法包括产生低静摩擦表面的材料的汽相沉积。它还公开了有效地赋予芯片以抗静摩擦性质的化合物，这些化合物包括苯基烷氧基硅烷、聚苯基硅氧烷、硅醇终止的苯基硅氧烷和类似材料。

主权项

1.一种赋予微电机装置以抗静摩擦性质的方法，所述装置是一种得自晶片的芯片，该方法包括：a.将所述晶片和有机硅化合物一起置于炉子中，b.在所述炉子中选择性地产生真空和选择性地用如氮气的非反应性气体替代炉子中的气体，c.加热所述炉子及所述储藏室至一温度，在此温度下，至少一些所述有机硅被蒸发，并可以和所述晶片接触，d.冷却所述炉子，并取出所述晶片，然后，e.选择性地切割所述晶片成为芯片。