| 发明名称 | 浅沟渠隔离结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种浅沟渠隔离结构的制造方法，此方法提供一个基底，首先在基底上依序形成垫氧化层以及罩幕层，再定义此基底，以在基底中形成沟渠。接着，用具备高蚀刻/沉积比的高密度等离子体化学气相沉积工艺，其中高密度等离子体化学气相沉积工艺的蚀刻/沉积比为0.15至0.6左右，在基底上形成覆盖基底并填满沟渠的绝缘层。然后除去沟渠外的绝缘层，再依序除去罩幕层以及垫氧化层，以形成浅沟渠隔离结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1396644A | 申请公布日期 | 2003.02.12 |
| 申请号 | CN01120412.5 | 申请日期 | 2001.07.12 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘婉懿 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为：包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一垫氧化层；在该垫氧化层上形成一罩幕层；定义该基底，在该基底中形成一沟渠，该沟渠的一顶角已被圆角化；以一高密度等离子体化学气相沉积工艺，在该基底上形成一绝缘层以覆盖该基底并填满该沟渠，其中该高密度等离子体化学气相沉积工艺的蚀刻/沉积比为0.15至0.6左右；除去该沟渠外的该绝缘层；除去该罩幕层；以及除去该垫氧化层，以形成浅沟渠隔离结构。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||