| 主权项 |
1.一种曝光装置,其具备:照明光学系统,以照明形成有既定图案之光罩;投影光学系统,包含用以将部分重复曝光区域形成于感光性基板上而沿既定方向排列之投影光学模组、以将前述光罩图案投影于前述感光性基板;以及对焦调整单元,系相对前述感光性基板将前述复数个投影光学模组之各个像面整合于对焦方向;前述对焦调整单元,系将对相邻之投影光学模组像面之前述部分重复曝光区域之形成有所助益的部分,在前述对焦方向设定于大致相同位置。2.如申请专利范围第1项之曝光装置,其中,进一步包含:测量机构,系为测量前述复数个投影光学模组中至少一个投影光学模组像面沿前述对焦方向位置的变化,而测量朝前述至少一个投影光学模组像面之光的一部分;以及算出机构,系根据前述测量机构之测量资讯,求出前述复数个投影光学模组之各个的像面弯曲量所对应之修正値;前述对焦调整单元,系根据前述算出机构之输出,来调整前述复数个投影光学模组之各个的像面位置。3.如申请专利范围第2项之曝光装置,其中,进一步包含:像面位置决定部,系根据前述测量机构之测量资讯,来决定前述复数个投影光学模组之各个的像面位置;以及修正部,系根据前述复数个投影光学模组之各个的像面弯曲量所对应之修正値,来修正像面位置决定部所决定之前述复数个投影光学模组之各个的像面位置。4.如申请专利范围第3项之曝光装置,其中,前述算出机构进一步包含记忆部,以记忆前述复数个投影光学模组中至少一个之像面沿前述对焦方向之位置变化,与使用前述测量机构所测量之光量变化间的相关关系;前述像面位置决定部,系根据前述记忆部之资讯及前述测量机构之测量资讯,来决定前述复数个投影光学模组之各个的像面位置。5.如申请专利范围第3项之曝光装置,其中,前述算出机构进一步包含修正値记忆部,以记忆前述复数个投影光学模组中各个像面弯曲量所对应之修正値;前述修正部,系根据前述修正値记忆部之记忆资讯,来修正前述像面位置决定部所决定之前述复数个投影光学模组之各个的像面位置。6.如申请专利范围第3项之曝光装置,其中,前述算出机构进一步包含修正値运算部,以根据前述测量机构之测量资讯,来运算前述复数个投影光学模组之各个的像面弯曲量所对应之修正値;前述修正部,系根据前述修正値运算部所获得之各修正値,来修正前述像面位置决定部所决定之前述复数个投影光学模组之各个的像面位置。7.如申请专利范围第3项之曝光装置,其中,前述算出机构进一步包含记忆部,以记忆前述复数个投影光学模组中至少一个之像面对前述部分重复曝光区之形成有所助益之部分沿前述对焦方向之位置变化,与使用前述测量机构所测量之光量变化间的相关关系;前述像面位置决定部,系根据前述记忆部之资讯及前述测量机构之测量资讯,来决定前述复数个投影光学模组之各个的像面位置。8.一种曝光装置,其具备:照明光学系统,以照明形成有既定图案之光罩;投影光学系统,包含沿既定方向排列之投影光学模组以将前述光罩图案投影于前述感光性基板;第1调整机构,系对前述复数个投影光学模组中至少一个投影光学模组之第1光学特性随时间之恶化进行修正;以及第2调整机构,系对前述第1调整机构所修正之第1光学特性不同的第2光学特性进行修正。9.如申请专利范围第8项之曝光装置,其中,前述随时间之恶化,系由于自前述照明光学系统透过前述光罩,照射于前述至少一个投影光学模组的光线所产生。10.一种曝光装置,其具备:照明光学系统,以照明形成有既定图案之光罩;投影光学系统,包含沿既定方向排列之投影光学模组以将前述光罩图案投影于前述感光性基板;第1调整机构,系用以调整前述复数个投影光学模组之各个中包含之至少一个光学构件之热变形,所造成之前述复数个投影光学模组之各个的光学特性变化;以及第2调整机构,系用以调整前述复数个投影光学模组之各个中包含之至少一个偏向构件之热变形,所造成之前述复数个投影光学模组之各个的光学特性变化。11.如申请专利范围第10项之曝光装置,其中,前述至少一个光学构件系包含透镜。12.一种曝光装置,其具备:照明光学系统,以照明形成有既定图案之光罩;投影光学系统,包含透过前述光罩照射来自前述照明光学系统之光且沿既定方向排列之投影光学模组,以将前述光罩图案投影于前述感光性基板;为了将部分重复曝光区域形成于前述感光性基板上,前述复数个投影光学模组之像面,具有对前述部分重复曝光区域之形成有所助益的部分;并进一步包含对焦调整单元,系为了将对相邻之部分重复曝光区域之形成有所助益的部分在对焦方向设定于大致相同位置,以调整前述复数个投影光学模组各个像面之对焦方向位置。13.如申请专利范围第12项之曝光装置,其中,进一步包含:测量机构,系用以测量照射于前述复数个投影光学模组之光的光量变化;第1运算机构,系根据前述光量变化资讯,来运算前述复数个投影光学模组之各个像面于前述对焦方向之位置变动値;第2运算机构,系根据前述光量变化资讯,来运算前述复数个投影光学模组之各个像面弯曲量所对应之修正値;以及修正机构,系根据前述修正値来修正前述变动値;前述对焦调整单元,系根据修正之前述变动値来进行前述调整。14.如申请专利范围第13项之曝光装置,其中,进一步包含记忆机构,以记忆前述复数个投影光学模组之各个像面于前述对焦方向的位置变化,与照射至前述复数个投影光学模组之光的光量变化间之相关关系;前述第1运算机构,系根据以前述测量单元测量之前述光量变化资讯及前述记忆机构之前述相关关系资讯,来运算前述变动値。15.如申请专利范围第12项之曝光装置,其中,进一步包含:测量机构,系用以测量照射于前述复数个投影光学模组之光的光量变化;运算机构,系根据前述光量变化资讯,来运算前述复数个投影光学模组之各个像面之位置变动値;记忆机构,系用以记忆前述复数个投影光学模组之各个像面弯曲量所对应之修正値;以及修正机构,系根据以前述测量单元测量之前述光量变化资讯来决定前述修正値,根据此修正値修正前述变动値;前述对焦调整单元,系根据修正之前述变动値来进行前述调整。16.如申请专利范围第15项之曝光装置,其中,进一步包含另一记忆机构,以记忆前述复数个投影光学模组之各个像面于前述对焦方向的位置变化,与照射至前述复数个投影光学模组之光的光量变化间之相关关系;前述运算机构,系根据以前述测量单元测量之前述光量变化资讯及前述记忆机构之前述相关关系资讯,来运算前述变动値。17.如申请专利范围第12项之曝光装置,其中,进一步包含:测量机构,系用以测量照射于前述复数个投影光学模组之光的光量变化;记忆机构,以记忆前述复数个投影光学模组中之各个对前述部分重复曝光区之形成有所助益之部分沿前述对焦方向之位置变化,与照射于前述复数个投影光学模组之光量变化间的相关关系;以及运算机构,系根据以前述测量单元测量之前述光量变化资讯及前述记忆机构之前述相关关系资讯,来运算前述复数个投影光学模组中之各个对前述部分重复曝光区之形成有所助益之部分于前述对焦方向之位置变动値;前述对焦调整单元,系根据修正之前述变动値来进行前述调整。18.如申请专利范围第12项之曝光装置,其中,进一步包含:测量机构,系用以测量照射于前述复数个投影光学模组中至少一个投影光学模组之光的光量变化;第1运算机构,系根据前述光量变化资讯,来运算前述复数个投影光学模组之各个像面于前述对焦方向之位置变动値;第2运算机构,系根据前述光量变化资讯,来运算前述复数个投影光学模组之各个像面弯曲量所对应之修正値;以及修正机构,系根据前述修正値,来修正前述变动値;前述对焦调整单元,系根据修正之前述变动値来进行前述调整。19.如申请专利范围第12项之曝光装置,其中,进一步包含:测量机构,系用以测量照射于前述复数个投影光学模组中至少一个投影光学模组之光的光量变化;运算机构,系根据前述光量变化资讯,来运算前述复数个投影光学模组之各个像面之位置变动値;记忆机构,系用以记忆前述复数个投影光学模组之各个像面弯曲量所对应之修正値;以及修正机构,系根据以前述测量机构测量之前述光量变化资讯,来决定前述修正値,根据此修正値修正前述变动値:前述对焦调整单元,系根据修正之前述变动値来进行前述调整。20.如申请专利范围第12项之曝光装置,其中,进一步包含:测量机构,系用以测量照射于前述复数个投影光学模组中至少一个投影光学模组之光的光量变化;记忆机构,以记忆前述复数个投影光学模组中之各个对前述部分重复曝光区之形成有所助益之部分沿前述对焦方向之位置变化,与照射于前述复数个投影光学模组之光量变化间的相关关系;以及运算机构,系根据以前述测量机构测量之前述光量变化资讯及前述记忆机构之前述相关关系资讯,来运算前述复数个投影光学模组中之各个对前述部分重复曝光区之形成有所助益之部分于前述对焦方向之位置变动値;前述对焦调整单元,系根据修正之前述变动値来进行前述调整。21.如申请专利范围第12项之曝光装置,其中,进一步包含调整机构,以调整因前述对焦单元之调整而产生之对焦以外之光学特性的变化。22.一种微元件之制造方法,其特征在于,包含:曝光步骤,系使用申请专利范围第1~21项中任一项之曝光装置,将前述光罩图案曝光于前述感光性基板;以及显影步骤,系对前述曝光之基板进行显影。23.一种曝光装置之制造方法,系使用为了将部分重复曝光区域形成于感光性基板上而具有沿既定方向排列之投影光学模组的投影光学系统,与用以照明形成有既定图案之光罩的照明光学系统,将前述光罩图案曝光于前述感光性基板,其特征在于,包含:测量步骤,系用以测量前述复数个投影光学模组各个之像面沿对焦方向之位置;以及调整步骤,系使用前述测量步骤所获得之测量资讯进行调整,以使对相邻之投影光学模组之像面中前述部分重复曝光区域之形成有所助益的部分,位于前述对焦方向之大致相同位置。24.一种曝光装置之制造方法,系使用具有沿既定方向排列之投影光学模组的投影光学系统,与用以照明形成有既定图案之光罩的照明光学系统,将前述光罩图案曝光于感光性基板,其特征在于,包含:算出步骤,以预先算出沿前述复数个投影光学模组成像面之对焦方向的最大变位量;以及设定步骤,系根据前述算出步骤之算出结果,分别设定前述复数个投影光学模组之初期基准成像面。25.如申请专利范围第24项之曝光装置之制造方法,其中,前述设定步骤进一步包含调整步骤,以将对相邻之投影光学模组之像面中前述部分重复曝光区域之形成有所助益的部分,调整成于前述对焦方向之大致相同位置。26.一种曝光装置,其具备:照明系统,系用以照明形成有转印用图案之光罩上沿既定方向之复数个区域;以及投影光学系统,系具有对应前述光罩上之复数个区域所排列之复数个投影光学单元,以将前述光罩上形成之图案投影于感光性基板上;前述照明系统,在与前述复数个投影光学单元之各个光瞳面光学上大致共轭之位置形成二次光源,且具有将来自前述二次光源之光导至光罩的功能;前述照明系统,包含设定单元,该单元为了实质上控制因光照射而产生之前述复数个投影光学单元各个之光学特性的变动,将前述二次光源设定成其周边部分较其中心部分实质上具有高强度的光强度分布。27.如申请专利范围第26项之曝光装置,其系相对前述投影光学系统,使前述光罩及前述感光性基板沿与前述既定方向交叉之扫描方向移动,透过前述光学系统将前述光罩上形成之图案扫描曝光于前述感光性基板上。28.如申请专利范围第26项之曝光装置,其中,前述设定单元系将前述二次光源之形状设定成轮带状。29.如申请专利范围第28项之曝光装置,其中,前述设定单元包含轮带开口光圈,该光圈具有于前束照明系统之光路中被定位于与前述光瞳面光学上大致共轭之位置的轮带状开口部。30.如申请专利范围第28项之曝光装置,其中,前述设定单元包含圆锥棱镜,以在前述照明系统之光路中将圆形之射入光束变换为轮带状之光束。31.如申请专利范围第30项之曝光装置,其中,前述设定单元进一步包含轮带开口光圈,该光圈具有于前束照明系统之光路中被定位于与前述光瞳面光学上大致共轭之位置的轮带状开口部。32.如申请专利范围第28项之曝光装置,其中,前述设定单元包含绕射光学元件,以在前述照明系统之光路中将射入光束变换为轮带状之光束。33.如申请专利范围第32项之曝光装置,其中,前述设定单元进一步包含轮带开口光圈,该光圈具有于前束照明系统之光路中被定位于与前述光曈面光学上大致共轭之位置的轮带状开口部。34.如申请专利范围第26项之曝光装置,其中,前述设定单元为了将前述复数个投影光学模组各个之像面沿对焦方向之变动量,控制成较前述复数个投影光学模组之各个的焦点深度为小的量,系将前述二次光源之光强度分布设定成期望之分布。35.如申请专利范围第34项之曝光装置,其中,系将前述变动量控制成较前述焦点深度之1/2为小之量。36.如申请专利范围第26项之曝光装置,其中,前述照明系统进一步包含另一设定单元,以将换算成前述光瞳面时之前述二次光源之外径,相对前述光瞳面之有效径设定得较既定比率为大。37.如申请专利范围第36项之曝光装置,其中,前述既定比率为0.7倍。38.如申请专利范围第36项之曝光装置,其中,前述另一设定单元进一步的包含绕射光学元件,以在前述照明系统之光路中扩大射入光束之直径。39.如申请专利范围第36项之曝光装置,其中,前述设定单元及前述另一设定单元,为了将前述复数个投影光学模组各个之像面沿对焦方向之变动量,控制成较前述复数个投影光学模组之各个的焦点深度为小的量,系将前述二次光源之光强度分布设定成期望之分布。40.如申请专利范围第39项之曝光装置,其中,系将前述变动量控制成较前述焦点深度之1/2为小之量。41.一种曝光装置,具备:照明系统,系用以照明形成有转印用图案之光罩上沿既定方向之复数个区域;以及投影光学系统,具有对应前述光罩上之复数个区域所排列之复数个投影光学单元,将前述光罩上形成之图案投影于感光性基板上;前述照明系统,在与前述复数个投影光学单元之各个光瞳面光学上大致共轭之位置形成二次光源,且具有将来自前述二次光源之光导至前述光罩的功能;前述照明系统,为了实质上控制因光照射而产生之前述复数个投影光学单元各个之光学特性的变动,包含设定单元,以将换算为光瞳面时之二次光源之外径,设定成较前述光瞳面有效径之0.7倍为大。42.如申请专利范围第41项之曝光装置,其系相对前述投影光学系统,使前述光罩及前述感光性基板沿与前述既定方向交叉之扫描方向移动,透过前述光学系统将前述光罩上形成之图案扫描曝光于前述感光性基板上。43.如申请专利范围第41项之曝光装置,其中,前述设定单元包含绕射光学元件,以在前述照明系统之光路中扩大射入光束之直径。44.如申请专利范围第41项之曝光装置,其中,前述设定单元为了将前述复数个投影光学模组各个之成像面沿对焦方向之变动量,控制成较前述复数个投影光学模组之各个的焦点深度为小的量,系将前述二次光源之外径设定成期望之外径。45.如申请专利范围第44项之曝光装置,其中,系将前述变动量控制成较前述焦点深度之1/2为小之量。46.一种曝光装置,其具备:照明系统,系用以照明形成有转印用图案之光罩;以及投影光学系统,系将前述光罩之图案像投影于感光性基板;前述照明系统,包含:形成单元,以在与前述投影光学系统之光瞳面实质上共轭之位置形成二次光源;以及调整单元,以根据前述投影光学系统光学特性之变动调整前述二次光源之光强度分布。47.如申请专利范围第46项之曝光装置,其中,前述投影光学系统包含复数个投影光学单元;前述照明系统,系将对应前述复数个投影光学单元之复数个照明区域形成于前述光罩上;前述形成单元,为了将来自前述二次光源之光导至前述复数个照明区域,系对应前述复数个照明区域形成复数个二次光源;前述调整单元,系视前述复数个投影光学单元中至少一个投影光学单元之光学特性变动,来调整前述复数个二次光源中至少一个二次光源的光强度分布。48.一种曝光装置,系透过在沿既定方向之复数个区域形成有转印用图案之光罩,使感光性基板曝光,其具备:投影光学系统,具有对应前述复数个区域排列之复数个投影光学单元,以将前述图案投影于感光性基板上;以及照明系统,系在与前述复数个投影光学单元之各个光瞳面光学上大致共轭之位置形成二次光源,且以来自前述二次光源之光照明前述光罩;前述照明系统,为了控制因前述二次光源之光所造成之前述复数个投影光学单元各个之光学特性的变动,包含将前述二次光源之周边部分设定成较前述二次光源中心部分为高强度之光强度分布的设定单元。49.如申请专利范围第48项之曝光装置,其中,前述设定单元系将前述二次光源周边部分之形状设定成轮带状。50.如申请专利范围第49项之曝光装置,其中,前述设定单元包含轮带开口光圈,该光圈具有于前束照明系统之光路中被定位于与前述光瞳面光学上大致共轭之位置的轮带状开口部,藉前述轮带开口光圈,将前述二次光源周边部分之形状设定成轮带状。51.如申请专利范围第49项之曝光装置,其中,前述设定单元包含圆锥棱镜,以在前述照明系统之光路中将圆形之射入光束变换为轮带状之光束,藉前述圆锥棱镜,将前述二次光源周边部分之形状设定成轮带状。52.如申请专利范围第51项之曝光装置,其中,前述设定单元进一步包含轮带开口光圈,该光圈具有于前束照明系统之光路中被定位于与前述光瞳面光学上大致共轭之位置的轮带状开口部,藉前述轮带开口光圈,将前述二次光源周边部分之形状设定成轮带状。53.如申请专利范围第51项之曝光装置,其中,前述设定单元进一步包含使前述光束之轮带径为可变之机构。54.如申请专利范围第49项之曝光装置,其中,前述设定单元包含绕射光学元件,以在前述照明系统之光路中将射入光束变换为轮带状之光束。55.如申请专利范围第54项之曝光装置,其中,前述设定单元进一步包含轮带开口光圈,该光圈具有于前束照明系统之光路中被定位于与前述光瞳面光学上大致共轭之位置的轮带状开口部,藉前述轮带开口光圈,将前述二次光源周边部分之形状设定成轮带状。56.如申请专利范围第54项之曝光装置,其中,前述设定单元进一步包含使前述光束之轮带径为可变之机构。57.一种微元件之制造方法,其特征在于,包含:曝光步骤,系使用申请专利范围第26~56项中任一项之曝光装置,将前述光罩之图案像曝光于前述感光性基板;以及显影步骤,系对前述曝光之基板进行显影。58.一种曝光方法,系分别照明形成有转印用图案之光罩上沿既定方向之复数个区域,透过具有对应前述光罩上之复数个区域所排列之复数个投影光学单元的投影光学系统,将前述光罩上形成之图案投影曝光于感光性基板上,其包含:照明步骤,系在与前述复数个投影光学单元之各个光瞳面光学上大致共轭之位置形成二次光源,将来自前述二次光源之光导至前述光罩以照明前述光罩上之复数个区域;以及设定步骤,系为了实质上控制因光照射造成之前述复数个投影光学单元各个之光学特性的变动,而将前述二次光源设定成其周边部分较其中心部分实质上具有高强度的光强度分布。59.如申请专利范围第58项之曝光方法,其中,包含另一设定单元,以将换算成前述光瞳面时之前述二次光源之外径,相对前述光曈面之有效径设定得较既定比率为大。60.如申请专利范围第58项之曝光方法,其中,进一步包含曝光步骤,以相对前述投影光学系统,使前述光罩及前述感光性基板沿与前述既定方向交叉之扫描方向移动,透过前述光学系统将前述光罩上形成之图案扫描曝光于前述感光性基板上。61.一种曝光方法,系分别照明形成有转印用图案之光罩上沿既定方向之复数个区域,透过具有对应前述光罩上之复数个区域所排列之复数个投影光学单元的投影光学系统,将前述光罩上形成之图案投影曝光于感光性基板上,其包含:照明步骤,系在与前述复数个投影光学单元各个之光瞳面光学上大致共轭之位置形成二次光源,将来自前述二次光源之光导至前述光罩以照明前述光罩上之复数个区域;以及设定步骤,系为了实质上控制因光照射所造成之前述复数个投影光学单元之光学特性的变动,将换算为前述光瞳面时之前述二次光源之外径,设定成较前述光瞳面有效径之0.7倍为大。62.如申请专利范围第61项之曝光方法,其中,进一步包含曝光步骤,以相对前述投影光学系统,使前述光罩及前述感光性基板沿与前述既定方向交叉之扫描方向移动,透过前述光学系统将前述光罩上形成之图案扫描曝光于前述感光性基板上。63.一种曝光方法,其具备:照明步骤,系使用照明光学系统来照明光罩;以及转印步骤,系将前述光罩上形成之图案转印于感光性基板;前述照明步骤,包含使前述照明光学系统之光瞳周边部之光强度分布较中心部之光强度分布为高的步骤;前述转印步骤,包含:第1曝光步骤,系一边使前述照明光学系统之光瞳周边部之光强度分布较中心部之光强度分布为高,一边将第1曝光区域形成于前述感光性基板;以及第2曝光步骤,系一边使前述照明光学系统之光瞳周边部之光强度分布较中心部之光强度分布为高,一边将与第1曝光区域部分重复之第2曝光区域形成于前述感光性基板。64.如申请专利范围第63项之曝光方法,其中,前述转印步骤包含使用投影光学系统将前述光罩图案投影于前述感光性基板的步骤。65.如申请专利范围第64项之曝光方法,其中,进一步包含扫描步骤,以相对前述投影光学系统使前述光罩与前述感光性基板移动。66.如申请专利范围第65项之曝光方法,其中,前述第1曝光步骤包含,一边藉前述扫描步骤相对前述投影光学系统使前述光罩与前述感光性基板移动,一边将第1曝光区域形成于前述感光性基板的步骤;前述第2曝光步骤包含,一边藉前述扫描步骤相对前述投影光学系统使前述光罩与前述感光性基板移动,一边将第2曝光区域形成于前述感光性基板的步骤。图式简单说明:图1A,系本发明之第1实施形态之曝光装置所具备之投影光学模组之像面的俯视图。图1B,系从扫描方向F1观察比较例之曝光装置所具备之投影光学模组之像面的图。图1C,系从扫描方向F1观察图1A之投影光学模组之像面的图。图2,系概略地显示第1实施形态之曝光装置全体构成的立体图。图3,系概略地显示第1实施形态之曝光装置中照明系统之构成的图。图4,系概略地显示第1实施形态之曝光装置中构成投影光学系统之各投影光学模组之构成的图。图5,系概略地显示第1实施形态之光罩侧倍率修正光学系统Gm及基板侧倍率修正光学系统Gp之构成的图。图6,系概略地显示第1实施形态之焦点修正光学系统Gf之构成的图。图7,系概略地显示第1实施形态所具备之控制部CT之一例之内部构成的图。图8A,系概略地显示第1实施形态所具备之控制部CT之其他例之内部构成的图。图8B,系概略地显示第1实施形态所具备之控制部CT之再一例之内部构成的图图9,系概略地显示第1实施形态之第1变形例之主要部位构成的图。图10,系用以说明使第1实施形态所具备之第2直角棱镜PR2微动,而能据以调整各投影光学模组之像面位置的图。图11,系概略地显示第1实施形态之第2变形例之主要部位构成的图。图12,系用以说明藉第1实施形态所具备之第2直角棱镜PR2,进行像变换之典型的调整方法的图。图13,系用以说明藉第1实施形态所具备之第2直角棱镜PR2,进行像旋转之典型的调整方法的图。图14,系概略地显示第2实施形态之曝光装置全体构成的立体图。图15,系概略地显示第2实施形态之曝光装置中照明系统之构成的图。图16,系概略地显示第2实施形态之曝光装置中构成投影光学系统之各投影光学模组之构成的图。图17,系概略地显示第2实施形态之第1变形例之主要部位构成的图。图18,系概略地显示第2实施形态之第2变形例之主要部位构成的图。图19,系概略地显示第2实施形态之第3变形例之主要部位构成的图。图20A,系概略地显示第2实施形态之第4变形例之主要部位构成的图。图20B,系第2实施形态之第4变形例所具备之变形透镜的扩大图。图21A~图21I,系显示第2实施形态之二次光源之光强度分布的图表。图22A~图22D,系第2实施形态所使用之光圈的俯视图。图23,系概略地显示第2实施形态之第5变形例之主要部位构成的图。图24,系概略地显示第2实施形态之第6变形例之主要部位构成的图。图25,系使用本实施形态之曝光装置将既定电路图案形成于作为感光性基板之晶圆等,据以获得作为微元件之半导体元件时之方法的流程图。图26,系使用本实施形态之曝光装置将既定图案形成于基板片上,据以获得作为微元件之液晶显示元件时之方法的流程图。 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