发明名称 PROCEDE D'ISOLATION ELECTRIQUE DE PUCES COMPORTANT DES CIRCUITS INTEGRES PAR LE DEPOT D'UNE COUCHE ISOLANTE
摘要 <P>L'invention concerne un procédé d'isolation électrique par le dépôt d'une couche isolante de silice sur les faces latérales de puces comportant circuit (s) intégré (s), faces latérales générées par leur découpe dans une plaque de silicium, elle-même associée à un support adhésif en plastique, qui maintient lesdites puces en position après cette découpe, qui se caractérise en ce que : a - on prépare une phase liquide de traitement formée d'une solution d'acide fluosilicique saturée en silice à e température comprise entre 15 degreC et 35 degreC. b - on immerge les puces disposées sur leur support plastique adhésif dans la phase liquide de traitement. c - on ajoute un agent de provocation de la sursaturation en silice de la phase liquide de traitement. d - on maintient lesdites puces dans le milieu de traitement au plus pendant 10 heures à une température comprise entre environ 15 degreC et environ 50 degreC.</P>
申请公布号 FR2828332(A1) 申请公布日期 2003.02.07
申请号 FR20000008230 申请日期 2000.06.23
申请人 GEMPLUS 发明人 PATRICE PHILIPPE;FIDALGO JEAN CHRISTOPHE;PAPAPIETRO MICHEL
分类号 H01L21/316;H01L21/60;H01L21/68;H01L23/31;H01L23/498;(IPC1-7):H01L23/08;G06K19/07 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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