| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTOR BIPOLAIRE DANS UN CIRCUIT INTEGRE CMOS |
| 摘要 |
<P>L invention concerne un procédé de fabrication d'un contact (27) entre un substrat semiconducteur (10) et une couche de silicium polycristallin (20) dopée déposée sur le substrat (10) avec interposition d'une couche isolante (19), caractérisé en ce que l'on implante à travers la couche de silicium polycristallin (20) des éléments propres à rendre la couche isolante (19) perméable à la migration de dopants en provenance de la couche de silicium polycristallin (20). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un circuit intégré comprenant notamment un transistor MOS à canal d'un premier type de conductivité et un transistor bipolaire du type à émetteur-collecteur d'un second type de conductivité comportant une zone de contact selon l'invention.</P> |
| 申请公布号 |
FR2828331(A1) |
申请公布日期 |
2003.02.07 |
| 申请号 |
FR20010010270 |
申请日期 |
2001.07.31 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS SA |
发明人 |
MENUT OLIVIER;JAOUEN HERVE;BOUCHE GUILLAUME |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/265;H01L21/331;H01L21/338;H01L21/8222;H01L21/8248;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/732;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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