Kontrastreiche Lithographiejustiermarken zur Halbleiterherstellung

摘要

Es wird ein Verfahren zum Bereitstellen von Kontrast für Justiermarken nach einer unstrukturierten Metallabscheidung offenbart. Ein Graben wird in dem ersten Gebiet bereitgestellt, und ein Graben wird in einem Justiermarkengebiet eines Halbleiterwafers bereitgestellt. Ein erstes Metall wird auf dem Wafer abgeschieden, und das erste Metall wird daran gehindert, den Graben im Justiermarkengebiet zu füllen, damit der Graben im Justiermarkengebiet in einem nicht gefüllten Zustand gehalten wird. Der Wafer wird planarisiert, um das erste Metall von einer oberen Oberfläche zu entfernen. Eine unstrukturierte Abscheidung einer zweiten Metallschicht wird auf dem ersten Gebiet und dem Justiermarkengebiet durchgeführt, so daß sich der Graben im Justiermarkengebiet zur Verwendung als Streuungsjustiermarke eignet.