| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Grabenisolation mittels eines Polierschritts und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69232648(T2) |
申请公布日期 |
2003.02.06 |
| 申请号 |
DE1992632648T |
申请日期 |
1992.11.25 |
| 申请人 |
SONY CORP., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
GOCHO, TETSUO;HAYAKAWA, HIDEAKI |
| 分类号 |
H01L21/3065;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/316;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76;H01L21/310 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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