| 摘要 |
<p>Zur Herstellung eines Vertikaltransistors wird ein Graben (4) bereitgestellt, dessen Seitenwand (6) von einem einkristallinen Halbleitersubstrat (2) und dessen Boden (8) von einem polykristallinen Halbleitersubstrat (10) gebildet wird. Zwischen der Seitenwand (6) und dem Boden (8) ist ein Übergangsbereich (12) aus einem isolierenden Material angeordnet. Selektiv zum Material des Übergangsbereichs (12) wird eine Halbleiterschicht abgeschieden, so daß auf der Seitenwand (6) eine epitaktische Halbleiterschicht (24) und auf dem Boden (8) eine Halbleiterschicht (26) aufwächst, zwischen denen ein Zwischenraum verbleibt. Die abgeschiedenen Halbleiterschichten (24, 26) werden mit einem dünnen, einen Stromfluß nur teilweise begrenzenden Dielektrikum (28) bedeckt und der Zwischenraum mit einem leitfähigen Material (30) gefüllt. Bei einer nachfolgenden Wärmebehandlung diffundieren Dotierstoffe aus dem leitfähigen Material (30) in die epitaktische Halbleiterschicht (26) und bilden dort ein Dotierungsgebiet (44). Das dünne Dielektrikum (28) begrenzt einerseits die Diffusion der Dotierstoffe in das Halbleitersubstrat (2) und andererseits verhindert es die Ausbreitung von Kristallgitterfehlern in die epitaktische Halbleiterschicht (26).</p> |
